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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CMPA3135060S氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

Cree
型号： CMPA3135060S

--- 产品参数 ---

  • 操作频率 3.1 - 3.5 GHz
  • 典型输出功率 75 W
  • 功率增益 29 分贝
  • 欧姆匹配 50
  • 塑料表面贴装封装 7x7 mm QFN

--- 产品详情 ---

Cree 的 CMPA3135060S 是氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 基于单片微波集成电路 (MMIC)。 GaN具有优越的与硅或砷化镓相比的特性，包括更高的击穿率电压，更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。该 MMIC 功率放大器包含一个两级无功匹配放大器设计方法，使高功率和功率附加效率成为采用 7mm x 7mm 表面贴装（QFN 封装）实现。 该 MMIC 设计用于 S 波段雷达功率放大器应用。

CMPA3135060S

 


特征
3.1 - 3.5 GHz 操作
75 W 典型输出功率
29 分贝功率增益
50 欧姆匹配，易于使用
塑料表面贴装封装，7x7 mm QFN

 

应用
空中交通管制雷达
国防监视雷达
火控雷达
军用空中、陆地和海上雷达
天气雷达


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