Cree 的 CMPA3135060S 是氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 基于单片微波集成电路 (MMIC)。 GaN具有优越的与硅或砷化镓相比的特性，包括更高的击穿率电压，更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。该 MMIC 功率放大器包含一个两级无功匹配放大器设计方法，使高功率和功率附加效率成为采用 7mm x 7mm 表面贴装（QFN 封装）实现。 该 MMIC 设计用于 S 波段雷达功率放大器应用。
特征
3.1 - 3.5 GHz 操作
75 W 典型输出功率
29 分贝功率增益
50 欧姆匹配，易于使用
塑料表面贴装封装，7x7 mm QFN
应用
空中交通管制雷达
国防监视雷达
火控雷达
军用空中、陆地和海上雷达
天气雷达
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