--- 产品参数 ---
- 小信号增益 30 dB
- PSAT 的效率 50%
- 工作电压 高达 28 V
- 击穿电压 高击穿电压
--- 产品详情 ---
CMPA5259025F 是专为实现高效率而设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT);高增益; 和宽带宽能力;这使得 CMPA5259025F 非常适合 5.2 – 5.9 GHz 雷达放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
特征
30 dB 小信号增益
PSAT 的效率为 50%
工作电压高达 28 V
高击穿电压
应用
雷达放大器
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