--- 产品参数 ---
- 工作电压 20V
- 功率输出 5W
- 测试频率 1GHz
- 应用范围 1-1000MHz
- 有源FET配置 3
--- 产品详情 ---
DMD5012是TT Electronics镀金多用途硅 DMOS RF FET。
![](https://file.elecfans.com/web2/M00/4C/50/poYBAGKxrCWAb92AAADZq65Bsnw971.png)
特征
简化的放大器设计
适用于宽带应用
低温
RSS
简单的偏置电路
低噪声
高增益 – 最小 16 dB
镀金
多用途硅
DMOS射频场效应管
100W – 28V – 500MHz
单端
包裹:DP
配置:单端
工作电压:20V
功率输出: 5W
最低效率:50
获得:13
测试频率 :1GHz
应用范围 :1-1000MHz
有源FET配置:3
BV(Dss):65V
应用
VHF/UHF 通信
从直流到 2 GHz
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