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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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CMPA5585030D HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)

Cree
型号： CMPA5585030D

--- 产品参数 ---

  • 小信号增益 30 dB
  • 典型 PSAT 高达 50 W
  • 工作电压 高达 28 V
  • 击穿电压 高击穿电压
  • 操作温度 高温操作

--- 产品详情 ---

CMP5585030 是一款基于氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽。这个 MMIC 包含一个两级；无功匹配放大器设计方法能够实现非常宽的带宽。该 MMIC 可作为裸片和 10 引线金属/陶瓷法兰封装提供，以实现最佳电气和热性能。

CMPA5585030D

 

特征
30 dB 小信号增益
高达 50 W 的典型 PSAT
工作电压高达 28 V
高击穿电压
高温操作


应用
点对点无线电
通讯
测试仪器
EMC 放大器驱动器

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