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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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GTRA214602FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： GTRA214602FC-V1

--- 产品参数 ---

  • P3dB 170 W 典型值
  • 峰值 350 W 典型值
  • 增益 15 dB
  • 效率 60%

--- 产品详情 ---

GTRA214602FC 是 490 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高电子移动晶体管 (HEMT) 设计用于多标准蜂窝功率放大器应用。 它具有输入匹配、高效率、以及带有无耳法兰的热增强封装。

GTRA214602FC-V1


特征
GaN on SiC HEMT 技术
主要：P3dB = 170 W 典型值
峰值：P3dB = 350 W 典型值
典型的脉冲连续波性能：16 μs 脉冲宽度，
10% 占空比，2140 MHz，48 V，Doherty 夹具
增益 = 15 dB @ 49 dBm
效率 = 60% @ 49 dBm
P3dB 时的输出功率 = 490 W
人体模型 1B 类（根据 ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001)
低热阻
无铅且符合 RoHS 标准

 

 

应用
船用雷达
军用雷达

 

 

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