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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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GTRA263902FC-V2氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： GTRA263902FC-V2

--- 产品参数 ---

  • 输出功率为 P3dB = 370 W
  • 典型脉冲 连续波性能
  • 效率 70%
  • 增益 15 dB

--- 产品详情 ---

描述
GTRA263902FC是一个370瓦(P3dB) GaN on SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)，用于多标准蜂窝功率放大器应用。它的特点是输入匹配，高效率，热增强包与无耳法兰。

GTRA263902FC-V2

 

特性
GaN on SiC HEMT技术
典型脉冲连续波性能，2690 MHz, 48 V，
合并后的输出
输出功率为P3dB = 370 W
效率= 70%
增益= 15 dB
能够处理10:1 VSWR @48 V, 56 W (CW)
人体模型1A类(每ANSI/ESDA/电平js - 001)
低的热阻
无铅，符合RoHS要求

 

应用
蜂窝功率放大器

 

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