--- 产品参数 ---
- P3dB输出功率 200 W
- 效率 60%
- 增益 12.5 分贝
- 输出功率 30 W (CW)
--- 产品详情 ---
描述
GTRA362002FC 是一款 200 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT),设计用于多标准蜂窝功率放大器应用。它具有输入匹配功能;高效率; 以及带有无耳法兰的热增强封装。
特征
输入匹配
非对称 Doherty 设计:主 P3dB 85 W Typ;峰值 P3dB 115 W 典型值
典型的脉冲连续波性能;3500兆赫;48 伏;综合产出
P3dB 200 W 时的输出功率
效率 60%
增益 12.5 分贝
能够处理 10:1 VSWR @50 V;30 W (CW) 输出功率
低热阻
无铅且符合 RoHS 标准
应用
多标准蜂窝功率放大器
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