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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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GTRA412852FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： GTRA412852FC-V1

--- 产品参数 ---

  • 典型的脉冲连续波性能 4100兆赫
  • P3dB 时的输出功 235 W
  • 增益 10 分贝
  • 效率 45%
  • VSWR 48 V

--- 产品详情 ---

描述
GTRA412852FC 是一款 235 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，用于多标准蜂窝功率放大器应用。它具有输入和输出匹配；高效率; 以及带有无耳法兰的热增强封装。
 

GTRA412852FC-V1

 

 

特征
GaN on SiC HEMT 技术
输入输出匹配
典型的脉冲连续波性能；4100兆赫；48 伏；10 μs 脉冲宽度；100 μs PP
P3dB 时的输出功率 = 235 W
增益 = 10 分贝
效率 = 45%
能够处理 10:1 VSWR @48 V；30 W (WCDMA) 输出功率
人体模型 1A 类（根据 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
低热阻
无铅且符合 RoHS 标准

 

应用
多标准蜂窝功率放大器

 

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