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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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GTVA107001EC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： GTVA107001EC-V1

--- 产品参数 ---

  • 典型的脉冲连续波性能 1030兆赫
  • 脉冲宽度 128 μs
  • 占空比 10%
  • 输出功率 P3dB 890 W
  • IDQ 100 mA

--- 产品详情 ---

描述
GTVA107001EC 是一款 700 瓦 GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，用于 960 至 1215 MHz 频段。它具有输入匹配功能；高效率; 和热增强封装；带螺栓固定法兰。
 

GTVA107001EC-V1

 

 

特征
输入匹配
典型的脉冲连续波性能（AB 级）；1030兆赫；50伏；128 μs 脉冲宽度；10% 占空比；输出功率 P3dB = 890 W；排水效率 = 75%；增益 = 18 分贝
能够承受 10:1 的负载失配（脉冲条件下 700 W 峰值功率下的所有相位角：50 V；100 mA IDQ；128 μs 脉冲宽度；10% 占空比
人体模型类 IC（根据 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
无铅且符合 RoHS 标准


应用
雷达放大器


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