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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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GTVA123501FA-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： GTVA123501FA-V1

--- 产品参数 ---

  • 输出功率 350W；
  • 排水效率 70 %；
  • 增益 18 分贝
  • 脉冲宽度 300 μs
  • 占空比 10%

--- 产品详情 ---

描述
GTVA123501FA 是一款 350 瓦 GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，用于 1200 至 1400 MHz 频段。它具有输入匹配功能；高效率; 以及带有无耳法兰的热增强型表面贴装封装。
 

GTVA123501FA-V1

 

 

特征
宽带内部输入匹配；
典型的脉冲连续波性能；1200 – 1400 兆赫；50V；
输出功率350W；
排水效率 70 %；
增益 18 分贝；
脉冲宽度 300 μs；
占空比 10%；
无铅且符合 RoHS 标准


应用
L 波段雷达放大器


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