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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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GTVA126001EC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

Cree
型号： GTVA126001EC-V1

--- 产品参数 ---

  • 占空比； 10%
  • 输出功率（P3dB） 600W
  • 排水效率 65%；
  • 增益 18 分贝
  • IDQ 100 毫安

--- 产品详情 ---

描述
GTVA126001EC 和 GTVA126001FC 是 600 瓦 GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，用于 1200 至 1400 MHz 频段。它们具有输入匹配功能；高效率; 和热增强封装。
 

GTVA126001EC-V1

 

 

特征
输入匹配
典型的脉冲连续波性能（AB 级）；1200兆赫；
50伏；300 μs 脉冲宽度；
10% 占空比；
输出功率（P3dB）=600W；
排水效率 = 65%；
增益 = 18 分贝
能够在脉冲条件下以 600 W 峰值功率承受 10:1 负载失配（所有相位角）：300 μs 脉冲宽度；10% 占空比；VDD = 50 V；IDQ = 100 毫安
人体模型 1C 类（根据 AnSI/ESDA/JEDEC JS-001）
无铅且符合 RoHS 标准


应用
雷达放大器


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