--- 产品参数 ---
- 占空比; 10%
- 输出功率(P3dB) 600W
- 排水效率 65%;
- 增益 18 分贝
- IDQ 100 毫安
--- 产品详情 ---
描述
GTVA126001EC 和 GTVA126001FC 是 600 瓦 GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT),用于 1200 至 1400 MHz 频段。它们具有输入匹配功能;高效率; 和热增强封装。
特征
输入匹配
典型的脉冲连续波性能(AB 级);1200兆赫;
50伏;300 μs 脉冲宽度;
10% 占空比;
输出功率(P3dB)=600W;
排水效率 = 65%;
增益 = 18 分贝
能够在脉冲条件下以 600 W 峰值功率承受 10:1 负载失配(所有相位角):300 μs 脉冲宽度;10% 占空比;VDD = 50 V;IDQ = 100 毫安
人体模型 1C 类(根据 AnSI/ESDA/JEDEC JS-001)
无铅且符合 RoHS 标准
应用
雷达放大器
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