| 产品型号 | DC0561P1单路双向超低电容、低漏电流ESD二极管 TVS diode |
| 产品描述 |
1-Line Bi-directional Low Capacitance TVS Diode,VRWM:5V,VBR:6V,Cj Max:2.5pF,IPP@8/20us:2A,Vc@Max IPP:12.5V,PPP:25W |
| 反向断态电压VRWM(V) | 5V |
| 击穿电压VBR(V) | 6@IT 1mA |
Cj Max（pF)
| 2.5PF |
浪涌电流承受能力IPP(A)
| 2A@8/20us |
| 箝位电压Vc@Max IPP(V) | 12.5V IPP = 1A (8 x 20µs pulse) |
| 功率PPP(W) | 25W |
封装Package
| DFN1006-2 |
| 最小包装 | 10000/Tape & Reel |
固态硅雪崩技术瞬态电压抑制器二极管可防止过电压损坏敏感电子元件。由于采用了紧凑型封装，;瞬态电压抑制器二极管特别适用于便携式应用，如移动电话和移动电话附件、笔记本电脑、台式机和服务器。二极管还可用于带有激光二极管保护和模拟输入的应用。
瞬态电压抑制器二极管的功能和优点
瞬时保护，用于数据线路，符合
IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV（空气），plusmn;8kV（触点）
IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (tp = 5/50ns)
电缆放电事件(CDE)
小型封装(1.0 x 0.6 x 0.5mm)
低漏泄电流
