企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

深圳市骊微电子科技

芯朋、士兰、启臣、富满、铨力、超致、芯控源等代理，提供电源芯片/驱动芯片、MOS、IGBT、二三极管等电子料，免费试样，提供技术支持！

1.2k 内容数 72w+ 浏览量 279 粉丝

NCP1342替代料65w氮化镓充电器芯片PN8213

型号： NCP1342

--- 产品参数 ---

  • 品牌 芯朋微
  • 型号 PN8213
  • 兼容 NCP1342
  • 功率 65W
  • 封装 SSOP

--- 产品详情 ---

NCP1342替代料PN8213芯片特征

■ 内置高压启动电路

■ 供电电压9~57V,适合宽输出电压应用

■ Valley Lock：技术提高效率改善系统噪声

■ 最高工作频率外部可设置

■ 空载待机功耗<55mW@230VAC

■ 优异全面的保护功能：逐周期过流保护、输入欠压保护、输出过压保护、输出开/短路保护、DMG电阻短路保护、次级整流管短路保护、过负载保护、双重过温保护。

PN8213与ON安森美NCP1342都是采用SOP封装，仅需做简单修改，即可pin对pin替换NCP1342，且方案部分性能表现更为优异，并具有较大的成本及供货优势，实现了65W氮化镓充电器芯片的国产替代，更多NCP1342芯片替代料PN8213产品手册及应用资料请向骊微电子申请。>>

为你推荐

产品 文章 方案 资料

  • 65w氮化镓充电器2c1a方案| 过认证、低成本！2024-11-01 17:06

    骊微电子65w氮化镓充电器2c1a方案采用主控芯片PN8783、同步整流芯片PN8307P、DC-DC降压芯片NDP1460PQB和PD协议芯片XPD737+XPD767套片组合，2C1A接口配置，USB-C1/C2接口均支持65W快充，USB-A口也支持快充，并支持功率自动分配，能够满足手机，笔记本电脑以及老式设备的快速充电需求。PN8783内部集成电流模
    283浏览量

  • 逆变器mos管常用型号，60-80v低内阻mos管系列！2023-06-26 16:30

    MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关，骊微电子60-80V低压mos系列，常用于光伏储能、BMS、逆变器等领域，是光伏储能、BMS、逆变器专用mos管！耐压60Vmos管系列：主要有SVG062R8NL5、SVG063R5
    3975浏览量

  • 富满常用PD快充协议芯片汇总，覆盖18W-100W！2023-04-23 16:48

    PD快充协议是一种高速充电技术，能够快速给移动设备充电，并且不会产生过热等安全问题。而这种协议需要配合芯片才能实现快速充电，因此，在选择PD快充协议芯片时需要根据具体的使用场景以及需求进行选型，骊微电子推出18W/20W/35W/45W/65W/100W常用pd协议芯片方案。常用pd协议芯片18W/20W/35W/45W/65W/100W选型36W和36W以
    3143浏览量

  • p型mos管-30V/-100V/-150V选型，士兰微mos管代理2022-11-11 15:17

    P型MOS管是一种适合在低速、低频领域内应用的器件，P-MOSFET的栅极是绝缘的，属于电压控制器件，因而输入阻抗高，驱动功率小，电路简单。和N沟道MOSFET产品相比，P沟道MOSFET产品需求远小，但在某些应用领域，P沟道MOSFET因其本身的电性特点，有其不可替代性，目前骊微电子可提供-30~-150V，-3~-46A的P沟道MOSFET解决方案，封装
    2496浏览量

  • 高压MOS管4N65/7N65/10N65/12N65，士兰微mos代理商!2022-09-15 17:11

    MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或称金属—绝缘体—半导体，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，是中小功率应用领域的主流开关器件，广泛应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等。骊微电子低压MOSFET主要用于消费电子领域，中高压MOSFET则主要用于工业、通讯、电动车等领域。4n65高压mos管参数型号：SVF4
    MOS
    2453浏览量

  • 骊微电子续签2022-2023年无锡芯朋微深圳代理商！2022-08-16 17:28

    芯朋微电子成立于2005年，于2020年7月登陆上交所科创板，产品主要包括AC-DC、DC-DC、MotorDriver等，应用于家用电器、手机及平板的充电器、机顶盒及笔记本的适配器、移动数码设备、智能电表、工控设备等领域，与深圳市骊微电子科技有限公司建立了长期稳定的合作关系，代理销售Chipown品牌系列产品，包括家电电源、标准电源、消费数码、半桥驱动等，
    1037浏览量

  • IRFB4227PBF TO-220替代料200v mos管SVT20240NT 士兰微MOS代理2022-06-27 14:57

    MOSFET作为功率半导体广泛应用于汽车、家电、光伏、风电、轨交等领域，长期以来一直被国外厂商占据着大部分市场份额，受益于庞大的终端消费需求，国内终端厂商推进进口替代，骊微电子推出SVT20240NTN沟道增强型MOS管可替代IRFB4227PBFTO-220场效应管。irfb4227场效应管替代料SVT20240NT特征■72A,200V,RDs(on)(
    MOS
    1214浏览量

  • viper12a芯片代换料AP8012H电源控制芯片，降低成本！2022-06-21 17:14

    VIPER12A芯片采用SO-8或DIP-8两种封装，是ST，VIPer产品系列，应用功率5W-10W，典型应用于电池充电器的壁挂式适配器，以及电视和监视的待机电源领域，随着缺货涨价以及国内芯片产业生态发展的完善，国产替代势在必行，AP8012H在不改PCB及外围参数下可兼容替代viper12a芯片，实现进口替代！viper12a替代芯片ap8012h特征■
    5691浏览量

  • 杭州士兰微mos有哪些型号及mos代理商2022-06-01 15:43

    士兰微mos管产品主要包括低高压、超结mos管，实现了沟槽栅低压MOS，沟槽屏蔽栅SGT-MOS，超级结MOS和IGBT等多个产品的量产，广泛应用于家电、工业、LED照明、汽车、消费类电子、影音设备等，缺货涨价潮助力国产替代加速，士兰微不断推进产品开发和升级，不仅在产能端实现了扩增，而且产品结构也在从低阶产品向更高价值量产品升级，实现进口替代。高压超结MOS
    MOS
    2214浏览量

  • ncp1252a芯片代替料启达启臣微CR1252A2022-05-20 11:19

    受多重因素影响，芯片的供应紧张仍未缓解，在缺“芯”困局之下，国产替代的呼声愈发高涨，许多国产厂商选择“PINtopin”的替代模式入局，骊微电子代理的启达启臣微CR1252A电源驱动芯片可代替ncp1252A芯片。ncp1252a代替芯片CR1252A特征■SOP-8L封装■内置软启动■内置斜波补偿■峰值电流限制■内置输入欠压自动恢复■内置LEB前沿消隐功能
    4310浏览量

  • ir2104驱动芯片代换料ID7U603SEC-R1 600V半桥预驱方案2023-03-29 09:24

    ID7U603是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT半桥驱动芯片，可兼容代换IR2104，应用领域于中小型功率电机驱动、功率MOSFET或IGBT驱动、照明镇流器、半桥驱动逆变器、全桥驱动逆变器等领域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点■浮动工作电压可达600V■拉灌电流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的输入逻辑电平■dV/dt抗干扰能力±5
    1.4k浏览量

  • 20W A+C双口pd快充充电器方案|一站式服务2023-03-09 16:41

    自iPhone8开始，后续的苹果手机都支持快充，然而随着iPhone12系列手机的推出以及取消多部机型标配充电器这一传统，从iPhone的全球出货量来看，已经造成了上亿规模的快充市场空缺，深圳市骊微电子科技有限公司专注于电源方案设计开发，顺势推出20WA+C双口pd快充充电器方案，提供一站式服务。20WA+C双口pd快充充电器方案主控芯片采用PN8161SE-U1，该芯片内部集成了准谐振工作的电流
    1.3k浏览量

  • 5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W充电器芯片方案2022-10-19 15:59

    充电器常用的芯片方案有5W/10W/12W/15W/18W/20W/24W/36W/65W等多种功率类型，充电器中的核心元器件为充电器ic芯片，在充电环境中起到了至关重要的作用，选择合适的充电器电源芯片将大大延长电路寿命，也可以减少充电器的故障，下面骊微电子介绍几款充电器常用的芯片方案。基于PN8366的5V1A充电器电源应用方案■输入电压：90~264Vac；■输出功率：5W(5V1A)；■待机
    1.6k浏览量

  • 30V超低内阻mos管系列，锂电池专用mos管方案2022-08-30 13:54

    30V超低内阻mos管SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5系列是N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰的LVMOS工艺技术制造。具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。30v大电流mos管SVG030R7NL5：采用PDFN-8-5X6封装，漏源电压VDS=30V，漏极电流Tc=25℃：282A，导通电阻RDs(on)
    2k浏览量

  • 30V/40V/60V/80V/100V/150V/200V 常用mos管选型方案2022-08-01 14:35

    MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，确保设备得到高效、稳定、持久的应用效果，充分发挥其“螺丝钉”的作用，30V-200Vmos管广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。30Vmos管常用型号：SVG030R7NL5封装PDFN56，导通内阻0.7mΩSVG031R1NL5封装PDFN56，
    2.8k浏览量

  • IR2110国产替代芯片ID7S625高压逆变器驱动芯片方案2022-07-30 16:06

    常见的MOS管驱动方式有非隔离的直接驱动、自举驱动，和有隔离的变压器驱动、光耦隔离驱动等，ir2110驱动芯片替代料ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器，广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域。ir2110替代芯片ID7S625特征■芯片工作电压范围10V~20V■输入逻辑兼容3.3
    2.1k浏览量

  • 65W PD快充方案PN8213+PN8307小体积低功耗2022-06-10 17:06

    65WPD快充方案不但可以支持手机的大功率快速充电还可以支持20V输出，可以为电脑充电，具有通用性好的优点，搭配氮化镓，体积可以做到很小，骊微电子推出65w快充方案PN8213+PN8307P+AP2080，具有小体积、大功率、高效率、超低待机功耗等特点，足以应对目前市场对65WPD快充的需求。PN8213内置800V高压启动管和X电容放电功能，专用于高性能的快速充电开关电源，待机功耗小于50mW
    1.5k浏览量

  • ob3353代换料AP3160液晶电视常用背光驱动芯片方案2022-05-31 16:57

    OB3353是一款具有成本效益的LED驱动器，广泛应用于LCD显示器和LCDTV背光，随着国际市场芯片缺货及疫情等外部因素的影响下，加速了半导体行业国产替代的步伐，骊微电子推出OB3353国产替代料AP3160高性能异步升压LED驱动器，可兼容代换背光芯片OB3353。ob3353代换芯片AP3160特性■宽范围工作电压：9V~35Vl■宽范围PWM调光(1kHz~200kHz)l■120kHz开
    2k浏览量

  • 30W pd快充方案PN8165+PN8307H兼容20W PD方案2022-05-24 16:02

    自从iPhone12系列手机取消标配充电器以来，各大手机品牌纷纷跟进，目前Apple手机/平板电脑等多种数码产品充电功率需求进一步提升，20W快充已经无法满足快速充电需求，30WPD快充成了继20WPD快充之后的另一大潜力市场，骊微电子推出基于PN8165+PN8307H的30W小体积PD快充参考设计，以满足快充市场需求！30WPD套片方案：主控芯片采用PN8165，次级同步采用PN8307H(A
    1.2k浏览量

  • pn8015 5V0.2A非隔离开关电源风扇方案 2022-01-12 11:44

    PN8015集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，输出电压可通过FB电阻调整3.3V~24V，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN80155V0.2A风扇方案：■输入电压：90~265V■输出功率：≤1W■输出电压电流:5V/0.2A■拥有可恢复短路保护，输出过载保护。在启动阶段，内部高压启动管提供2.5mA电流对外部VDD电容进行充电；当VDD电压达到13.5V，
    2.2k浏览量