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深圳市骊微电子科技

芯朋、士兰、启臣、富满、铨力、超致、芯控源等代理，提供电源芯片/驱动芯片、MOS、IGBT、二三极管等电子料，免费试样，提供技术支持！

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LND12N65 650V超级MOS管

型号： LND12N65

--- 产品参数 ---

  • 品牌 龙腾
  • VDSS 650V
  • ID 12A
  • 功耗 42W
  • RDS(on) 0.8Ω

--- 产品详情 ---

LND12N65 n沟道650V 12A功率mosfet管特征  
 ■ 低RDS(on)  
 ■ 低栅极电荷（ (typ. Qg = 41.9 nC)）  
 ■ 100% UIS 测试  
 ■ 符合 RoHS
 
 LND12N65电气特性：  
 ■ 漏源极电压VDSS：650V  
 ■ 连续的漏极电流( TC = 25°C )ID：12A  
 ■ 功耗 TO-220F ( TC = 25°C )：42W  
 ■ RDS(on),max :0.8Ω

 

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