--- 产品参数 ---
- 内核 48MHz Arm® Cortex®-M23
- 闪存 高达 128kB
- SRAM 16kB
- 数据闪存 4kB 提供与 EEPROM 类似的数据存储功能
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品群介绍
RA2E1 MCU产品群支持1.6V至5.5V的宽工作电压范围和多种封装,如LQFP、QFN、LGA、BGA及晶圆级芯片封装(WLCSP),拥有卓越性能、超低功耗、创新外设和小型封装的优化组合。这些特点使RA2E1产品群成为在成本敏感及空间受限型应用中满足高性能、低功耗系统需求的理想选择。全新MCU提供具备软/硬件扩展的升级路径,是瑞萨RA产品家族强大阵容的理想入门级产品。
RA2E1 MCU中升级的低功耗特性覆盖了所有片上外设、闪存和SRAM。这些特性可使芯片在整个温度和电压范围内实现最低功耗,并通过提供多种低功耗模式,最大限度提升不同应用的系统设计灵活度。在进行功耗基准测试时,RA2E1 MCU在1.8V电压下EEMBC® ULPMarkTM评测得分为321,验证了其同类一流的功耗水平。现在用户可将运行功耗降至接近待机水平,以延长电池寿命。
RA2E1 MCU产品群的关键特性
48MHz Arm Cortex-M23 CPU内核
集成闪存涵盖32KB至128KB,16KB SRAM
支持1.6V - 5.5V工作电压范围
25-64引脚可选
封装选项包括LQFP、QFN、LGA、BGA和WLCSP(2.14 x 2.27mm)
低功耗运行:工作模式为100µA/MHz,待机模式为250nA
集成了新一代创新型电容式触摸感应单元,无需外部元器件,降低BOM成本
集成高精度(1.0%)内部振荡器、支持100万次擦除/编程循环的后台操作数据闪存、大电流IO端口和温度传感器等片上外围功能,缩减系统成本
与RA2L1产品群引脚及外围设备兼容,实现快速简便的升级路径
RA2E1 MCU还提供IEC60730自检库,并具有集成的安全功能,可确认MCU是否正常运行。客户可轻松利用这些安全功能来执行MCU自诊断。此外,RA2E1还包括AES硬件加速、真随机数发生器(TRNG)和存储保护单元,为开发安全的物联网系统构建了基本模块。
RA2E1产品群搭配易用的灵活配置软件包(FSP),其中包括一流的HAL驱动程序。FSP通过GUI工具来简化流程并显著加快开发进程,同时也使客户可以轻松地从原有的8/16位MCU设计转移过来。选用RA2E1 MCU的设计人员还可充分利用强大的Arm合作伙伴生态系统,获得大量有助于加速产品上市的工具。
瑞萨RA2E1 MCU可与瑞萨模拟和电源产品结合使用,以创建适用于各类应用的综合解决方案。瑞萨电子已发布了基于Arm核处理器的“成功产品组合”,适用于RA2E1 MCU低成本、低引脚数和低功耗等特性。RA2E1开发套件还支持扩展规格的PMOD接口,可以使用PMOD传感器和PMOD RF连接模块进行快速的模块化物联网应用开发。
型号&封装
RA2E1产品群型号
128KB Code Flash , 4KB Data Flash , 16KB SRAM 系列
产品型号 | 封装 |
R7FA2E1A93CFM | LQFP 64 |
R7FA2E1A93CFK | LQFP 64 |
R7FA2E1A93CFL | LQFP 48 |
R7FA2E1A93CNE | QFN 48 |
R7FA2E1A93CFJ | LQFP 32 |
R7FA2E1A93CNH | QFN 32 |
R7FA2E1A93CBU | BGA 64 |
R7FA2E1A93CLM | LGA 36 |
R7FA2E1A93CBV | WLCSP 25 |
R7FA2E1A92DFM | LQFP 64 |
R7FA2E1A92DFK | LQFP 64 |
R7FA2E1A92DFL | LQFP 48 |
R7FA2E1A92DNE | QFN 48 |
R7FA2E1A92DFJ | LQFP 32 |
R7FA2E1A92DNH | QFN 32 |
R7FA2E1A92DBU | BGA 64 |
R7FA2E1A92DLM | LGA 36 |
R7FA2E1A92DBV | WLCSP 25 |
64KB Code Flash , 4KB Data Flash , 16KB SRAM 系列
产品型号 | 封装 |
R7FA2E1A73CFM | LQFP 64 |
R7FA2E1A73CFK | LQFP 64 |
R7FA2E1A73CFL | LQFP 48 |
R7FA2E1A73CNE | QFN 48 |
R7FA2E1A73CFJ | LQFP 32 |
R7FA2E1A73CNH | QFN 32 |
R7FA2E1A73CBU | BGA 64 |
R7FA2E1A73CLM | LGA 36 |
R7FA2E1A73CBV | WLCSP 25 |
R7FA2E1A72DFM | LQFP 64 |
R7FA2E1A72DFK | LQFP 64 |
R7FA2E1A72DFL | LQFP 48 |
R7FA2E1A72DNE | QFN 48 |
R7FA2E1A72DFJ | LQFP 32 |
R7FA2E1A72DNH | QFN 32 |
R7FA2E1A72DBU | BGA 64 |
R7FA2E1A72DLM | LGA 36 |
R7FA2E1A72DBV | WLCSP 25 |
32KB Code Flash , 4KB Data Flash , 16KB SRAM 系列
产品型号 | 封装 |
R7FA2E1A53CFL | LQFP 48 |
R7FA2E1A53CNE | QFN 48 |
R7FA2E1A53CFJ | LQFP 32 |
R7FA2E1A53CNH | QFN 32 |
R7FA2E1A53CLM | LGA 36 |
R7FA2E1A53CBV | WLCSP 25 |
R7FA2E1A52DFL | LQFP 48 |
R7FA2E1A52DNE | QFN 48 |
R7FA2E1A52DFJ | LQFP 32 |
R7FA2E1A52DNH | QFN 32 |
R7FA2E1A52DLM | LGA 36 |
R7FA2E1A52DBV | WLCSP 25 |
产品实拍
R7FA2E1A72CFL芯片实拍
解决方案示例
解决方案:无接触式按键。
无触摸式按键解决方案可广泛应用于家庭(照明开关、浴室开关等)和公共场所(自动售货机、电动门等),无需直接接触按键即可检测到触摸,从而减少细菌和污垢在手指上粘附。
系统优势:
入门级 RA 32 位 MCU 配备电容式触摸传感器单元 2(CTSU2),可提供高灵敏度和高干扰抑制的无接触式控制。所有带CTSU功能的瑞萨MCU也适用于此方案。
超低 Iq 升降压可以完全提取低至 1.8V 的电池功率。
输出电压可由 I2C 总线调节。
目标应用:
电梯、自动售货机、售票机
厕所冲水,水龙头
自动门按钮
冰箱、微波炉、抽油烟机等厨房电器
相关产品
为你推荐
-
RA4M1—适用于 HMI 的 32 位微控制器,带有 LCD 控制器和电容式触控2022-03-23 15:55
产品型号:RA4M1 内核:Arm® Cortex®-M4 闪存:256kB SRAM:32kB 数据闪存:8kB 的与EEPROM 存储数据功能类似 -
RA4M3—用于工业和物联网应用、具有高集成度和丰富连接性的高性能微控处理器2022-03-23 15:45
产品型号:RA4M3 内核:Arm® Cortex®-M33 闪存:512kB - 1MB SRAM:64kB 支持奇偶校验 以及 64kB ECC 数据闪存:8KB 提供与 EEPROM 类似的数据存储功能 -
RA6T1—用于电机控制和基于 AI 的端点预测性维护2022-03-23 15:30
产品型号:RA6T1 内核:Arm® Cortex®-M4 闪存:256kB – 512kB SRAM:64kB 数据闪存:8KB 提供与 EEPROM 类似的数据存储功能 -
RA6M2—带有 120 MHz 中型以太网存储器集成的 32 位微控制器2022-03-23 15:22
产品型号:RA6M2 内核:Arm® Cortex®-M4 闪存:512kB - 1MB SRAM:384kB 数据闪存:32kB 与 EEPROM 存储数据功能类似 -
RA6M3 — 带有 USB 高速、以太网和 TFT 控制器的 120 MHz 32 位微控制器2022-03-23 15:14
产品型号:RA6M3 内核:Arm® Cortex®-M4 闪存:1MB - 2MB SRAM:640kB 数据闪存:64kB 与 EEPROM 存储数据功能类似 -
RA6M5产品群让Arm Cortex M33内核RA6系列主流MCU产品线趋于完整2022-03-23 15:02
产品型号:RA6M5 内核:Arm® Cortex®-M33 闪存:1MB - 2MB SRAM:448KB 支持奇偶校验 和 64KB ECC 数据闪存:8KB 提供与 EEPROM 类似的数据存储功能 -
瑞萨电子推出RA6T2 MCU,适用于变频设备、楼宇自动化和工业驱动应用中的下一代电机控制2022-03-23 14:52
产品型号:RA6T2 内核:Arm®Cortex®-M33 闪存:256KB -512KB SRAM: 64KB 具有 ECC 数据闪存:16KB 提供与 EEPROM 类似的数据存储功能 -
RA6E1 -- 瑞萨超高性能入门级MCU2022-03-23 14:39
产品型号:RA6E1 内核:Arm® Cortex®-M33 闪存:512kB – 1MB SRAM:256kB 数据闪存:8KB 提供与 EEPROM 类似的数据存储功能 -
瑞萨RA6M4 MCU产品群,为物联网应用提供卓越性能和先进安全性2022-03-23 14:30
产品型号:RA6M4 内核:Arm® Cortex®-M33 闪存:512kB - 1MB SRAM:192kB支持奇偶校验以及64kb ECC 数据闪存:8KB 提供与 EEPROM 类似的数据存储功能 -
RA4入门级产品群RA4E1,通过平衡的低功耗性能和功能集成提供卓越价值2022-03-23 14:19
产品型号:RA4E1 内核:Arm® Cortex®-M33 闪存:256kB - 512kB SRAM:128kB 数据闪存:8KB 提供与 EEPROM 类似的数据存储功能
-
工业MPU新标杆,多协议工业以太网+运动控制 - 瑞萨RZ/T2H 新产品2024-12-06 16:57
-
喜报 | 瑞萨电子荣获“2024年度电机控制器十大主控芯片”奖项2024-11-30 01:01
-
新品发布 | 瑞萨电子推出高性能四核应用处理器,增强工业以太网与多轴电机控制解决方案阵容2024-11-30 01:01
-
电机方案开发工具—QE For Motor2024-11-28 17:36
-
如何为您的电机控制系统增加更多价值2024-11-28 15:41
-
通过三相BLDC/PMSM电机上的无传感器负载检测提高电机性能并降低应力2024-11-27 14:17
-
RA8D1加密引擎功能体验和实践2024-11-23 01:01
-
送调试器 | 直播:基于瑞萨RX MCU的电机控制解决方案2024-11-23 01:01
-
瑞萨RA家族Arm Cortex-M85 RA8 MCU系列新成员-RA8E1、RA8E2高性能入门级应用2024-11-18 11:44
-
RA系列MCU自检代码使用介绍2024-11-16 01:02