产品
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TSM3404CX RF-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-13 10:44
产品型号：TSM3404CX RF-VB 类型 ： N沟道 最大耐压 ：30V 最大电流： 6.5A 静态开启电阻：30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V 门源极电压： 20V (±V) -
STD25N10F7-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-13 10:34
产品型号：STD25N10F7-VB 类型： N沟道 额定电压： 100V 最大持续电流： 40A 导通电阻： 30mΩ @ 10V 门源电压范围： 20V（正负） -
STB60N06-14-VB-TO263封装N沟道MOSFET2023-11-13 10:26
产品型号：STB60N06-14-VB 沟道类型：N沟道 最大耐压： 60V 最大持续电流： 75A 开通电阻：11mΩ @ 10Vgs、12mΩ @ 4.5Vgs 阈值电压： 1.9V -
FQU13N06-VB-TO251封装N沟道MOSFET2023-11-13 10:09
产品型号：FQU13N06-VB 沟道类型： N沟道 额定电压： 60V 静态导通电阻：32mΩ @ 10V, 36mΩ @ 4.5V 门源电压： ±20V 阈值电压：2.4V -
2SJ355-VB-SOT89-3封装P沟道MOSFET2023-11-11 17:55
产品型号：2SJ355-VB 类型： P沟道 额定电压： -30V 最大持续电流： -5.8A 导通电阻： 50mΩ @ 10V 门源电压范围： 20V（正负） -
IRFR5410TRPBF-VB-TO252封装P沟道MOSFET2023-11-11 17:47
产品型号：IRFR5410TRPBF-VB 极性 ：P沟道 额定电压： -100V 额定电流： -10A 静态导通电阻：188mΩ @ 10V, 195mΩ @ 4.5V 门源极电压：-20V 至 20V -
IRLML6401GTRPBF-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-11-11 17:38
产品型号：IRLML6401GTRPBF-VB 类型 ： P沟道 最大耐压： -20V 最大电流： -4A 静态开启电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V 门源极电压：12V (±V) -
IRFU014PBF-VB-TO251封装N沟道MOSFET2023-11-11 17:30
产品型号：IRFU014PBF-VB 类型 ： N沟道 额定电压： 60V 最大持续电流：25A 导通电阻：32mΩ @ 10V 门源电压范围： 20V（正负） -
AOD464-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-11 17:18
产品型号：AOD464-VB 沟道类型 ： N沟道 额定电压： 100V 静态导通电阻：30mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V 门源电压： ±20V 阈值电压： 1.8V -
NDS351AN-NL-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-11 17:10
产品型号：NDS351AN-NL-VB 沟道类型： N沟道 最大耐压 ： 30V 最大持续电流 ： 6.5A 开通电阻： 30mΩ @ 10Vgs、33mΩ @ 4.5Vgs 阈值电压：1.2V 到 2.2V