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HCPL-6750 密封，低中频，宽Vcc，高增益光电耦合器

HCPL-6750是一款商业级四通道密封光电耦合器，采用16引脚陶瓷扁平封装。可提供镀金引线。该产品可在整个军用温度范围内操作和存储，也可购买完整的MIL-PRF-38534 H级或K级测试或适当的DLA SMD（H类83024，K类5962-98002）。 HCPL-6750在MIL-PRF-38534认证生产线上生产和测试，H级和K级版本包含在DLA 合格制造商列表QML-38534混合微电路中。每个通道包含GaAsP发光二极管，其光学耦合到集成的高增益光子检测器。高增益输出级采用开路集电极输出，与传统的达达顿光电耦合器相比，具有更低的饱和电压和更高的信号传输速度。 IC工艺提供的浅深度和小结可提供比传统光电晶体管光电耦合器更好的抗辐射性。电源电压可低至2.0 V，但不会对参数性能产生不利影响。这些器件在输入电流仅为0.5 mA时具有300％的最小CTR，非常适合用于低输入电流应用，如MOS，CMOS，低功耗逻辑接口或线路接收器。通过在18 V下指定Icch和Ioh，可确保与高压CMOS逻辑系统的兼容性。具有一个，两个或四个通道的该模组的封装形式为8和16引脚DIP通孔，16-引脚表面贴装DIP扁平封装，以及20焊盘无引脚陶瓷芯片载体。大多数...

5962-8981002K 密封，低中频，宽Vcc，高增益光电耦合器

5962-8981002Kxx是采用8引脚DIP陶瓷封装的DLA单通道密封光电耦合器，具有最高的可靠性（K级）。还提供镀金引线，焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息，请参见数据表。该产品可在整个军用温度范围内运行和存储，也可作为商用级或完整的MIL-PRF-38534等级H级测试购买DLA&NBSP; SMD。 5962-8981002Kxx是在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试的，并包含在DLA 合格制造商列表QML-38534中，用于混合微电路。该器件包含一个GaAsP发光二极管，光学耦合到集成的高增益光子检测器。高增益输出级采用开路集电极输出，与传统的达达顿光电耦合器相比，具有更低的饱和电压和更高的信号传输速度。 IC工艺提供的浅深度和小结可提供比传统光电晶体管光电耦合器更好的抗辐射性。电源电压可低至2.0 V，但不会对参数性能产生不利影响。这些器件在输入电流仅为0.5 mA时具有300％的最小CTR，非常适合用于低输入电流应用，如MOS，CMOS，低功耗逻辑接口或线路接收器。通过在18伏特下指定Icch和Ioh来确保与高压CMOS逻辑系统的兼容性。具有一个，两个或四个通道的该模组的封装类型是8和16引脚DIP通孔，16-引...

5962-8981001 密封，低中频，宽Vcc，高增益光电耦合器

5962-8981001xx是一款采用8引脚DIP陶瓷封装的高可靠性DLA SMD H级单通道密封光电耦合器。还提供镀金引线，焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息，请参见数据表。该产品可在整个军用温度范围内运行和存储，也可作为商业级或完整的MIL-PRF-38534级K级测试购买。相同的DLA SMD。 5962-8981001xx是在MIL-PRF-38534认证系列上制造和测试的，并包含在DLA 合格制造商列表QML-38534中，用于混合微电路。该器件包含一个GaAsP发光二极管，光学耦合到集成的高增益光子检测器。高增益输出级采用开路集电极输出，与传统的达达顿光电耦合器相比，具有更低的饱和电压和更高的信号传输速度。 IC工艺提供的浅深度和小结可提供比传统光电晶体管光电耦合器更好的抗辐射性。电源电压可低至2.0 V，但不会对参数性能产生不利影响。这些器件在输入电流仅为0.5 mA时具有300％的最小CTR，非常适合用于低输入电流应用，如MOS，CMOS，低功耗逻辑接口或线路接收器。通过在18伏特下指定Icch和Ioh，可确保与高压CMOS逻辑系统的兼容性。该模组在一个，两个或四个通道中的封装形式为8和16引脚DIP通孔，16-引...

5962-8978503K 密封，低中频，宽Vcc，高增益光电耦合器

5962-8978503Kxx是采用8引脚DIP陶瓷封装的DLA双通道密封光电耦合器，具有最高的可靠性（K级）。还提供镀金引线，焊接浸渍引线和各种引线形式。有关详细信息，请参见数据表。该产品可在整个军用温度范围内运行和存储，也可作为商业级或完整的MIL-PRF-38534 H级测试购买。相同的DLA SMD。 5962-8978503Kxx是在MIL-PRF-38534认证产品线上制造和测试的，并包含在DLA 合格制造商列表QML-38534中，用于混合微电路。每个通道都包含一个GaAsP发光二极管，光学耦合到集成的高增益光子检测器。高增益输出级采用开路集电极输出，与传统的达达顿光电耦合器相比，具有更低的饱和电压和更高的信号传输速度。 IC工艺提供的浅深度和小结可提供比传统光电晶体管光电耦合器更好的抗辐射性。电源电压可低至2.0 V，但不会对参数性能产生不利影响。这些器件在输入电流仅为0.5 mA时具有300％的最小CTR，非常适合用于低输入电流应用，如MOS，CMOS，低功耗逻辑接口或线路接收器。通过在18伏特下指定Icch和Ioh，可确保与高压CMOS逻辑系统的兼容性。该模组在一个，两个或四个通道中的封装形式为8和16引脚DIP通孔，16-...

HCPL-573K 密封，低中频，宽Vcc，高增益光电耦合器

HCPL-573K是一款采用8引脚DIP陶瓷封装的双通道密封光电耦合器，具有最高的可靠性（K级）。还提供镀金引线，焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息，请参见数据表。该产品能够在整个军用温度范围内运行和存储，也可以购买商品级，完整的MIL-PRF-38534 H级测试或从DLA SMD 5962-89785。 HCPL-573K在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试，并包含在DLA 合格制造商列表QML-38534中，用于混合微电路。每个通道都包含一个GaAsP发光二极管，光学耦合到集成的高增益光子探测器。高增益输出级采用开路集电极输出，与传统的达达顿光电耦合器相比，具有更低的饱和电压和更高的信号传输速度。 IC工艺提供的浅深度和小结可提供比传统光电晶体管光电耦合器更好的抗辐射性。电源电压可低至2.0 V，但不会对参数性能产生不利影响。这些器件在输入电流仅为0.5 mA时具有300％的最小CTR，非常适合用于低输入电流应用，如MOS，CMOS，低功耗逻辑接口或线路接收器。通过在18 V下指定Icch和Ioh，可确保与高压CMOS逻辑系统的兼容性。该模组在一个，两个或四个通道中的封装形式为8和16引脚DIP通孔，16-...

5962-9800201K 密封，低中频，宽Vcc，高增益光电耦合器

5962-9800201Kxx是采用16引脚DIP陶瓷封装的DLA SMD K类四通道密封光电耦合器，具有最高的可靠性。还提供镀金引线，焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息，请参见数据表。该产品可在整个军用温度范围内操作和存储，也可以购买商用级或在DLA SMD上使用MIL-PRF-38534 Class H级测试83024. 5962-9800201Kxx在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试，并包含在DLA 合格制造商列表QML-38534中，用于混合微电路。每个通道包含一个GaAsP发光二极管，其光学耦合到集成的高增益光子探测器。高增益输出级采用开路集电极输出，与传统的达达顿光电耦合器相比，具有更低的饱和电压和更高的信号传输速度。 IC工艺提供的浅深度和小结可提供比传统光电晶体管光电耦合器更好的抗辐射性。电源电压可低至2.0 V，但不会对参数性能产生不利影响。这些器件在输入电流仅为0.5 mA时具有300％的最小CTR，非常适合用于低输入电流应用，如MOS，CMOS，低功耗逻辑接口或线路接收器。通过在18伏特下指定Icch和Ioh，可确保与高压CMOS逻辑系统的兼容性。该模组在一个，两个或四个通道中的封装形式为8和16引脚D...

5962-0822701H 密封3.3V，低IF，宽Vcc，高增益光电耦合器

DLA 标准微电路图5962-0822701Hxx是一款采用8引脚DIP陶瓷封装的高可靠性H级单通道密封3.3V光耦合器。还提供镀金引线，焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息，请参见数据表。该产品能够在整个军用温度范围内运行和存储，也可以商品级购买，具有完整的MIL-PRF-38534 K级测试，或者作为Broadcom的部件号ACPL-5701L。该设备在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试，并作为混合微电路包含在DLA 合格产品数据库补充信息表QPDSIS-38534中。该器件包含GaAsP发光二极管它与光学耦合到集成的高增益光子探测器。高增益输出级具有开路集电极输出，与传统的光电达林顿光电耦合器相比，可提供更低的饱和电压和更高的信号传输速率。电源电压可低至3.0 V，但不会对参数性能。这些器件在输入电流仅为0.5 mA时具有300％的最小CTR，非常适合用于低输入电流应用，如MOS，CMOS，低功耗逻辑接口或线路接收器。封装样式该模具设置在一个，两个或四个通道中，分别为8和16引脚DIP通孔。所有设备都可以购买各种铅形式和电镀选项。有关详细信息，请参见数据表。因为数据表中列出的每个器件的每个通道都使用相同的电...

5962-0822702H 密封3.3V，低IF，宽VCC，高增益光电耦合器

DLA 标准微电路图5962-0822702Hxx是一款采用8引脚DIP陶瓷封装的高可靠性H级双通道密封3.3V光电耦合器。还提供镀金引线，焊接浸渍引线和各种引线形式。有关详细信息，请参见数据表。该产品可在整个军用温度范围内运行和存储，也可作为商业级购买，具有完整的MIL-PRF-38534 K级测试或Broadcom部件号ACPL-5731L。该设备在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试，H级和K级版本包含在DLA 合格产品数据库补充信息表QPDSIS-38534中作为混合微电路。每个通道包含GaAsP发光二极管，其光学耦合到集成的高增益光子检测器。高增益输出级具有开路集电极输出，与传统的光电达林顿光电耦合器相比，可提供更低的饱和电压和更高的信号传输速率。电源电压可低至3.0 V，但不会对参数性能。这些器件在输入电流仅为0.5 mA时具有300％的最小CTR，非常适合用于低输入电流应用，如MOS，CMOS，低功耗逻辑接口或线路接收器。封装样式该模具设置在一个，两个或四个通道中，分别为8和16引脚DIP通孔。可以购买具有各种引线形式和电镀选项的器件。有关详细信息，请参见数据表。因为数据表中列出的每个器件的每个通道都使用相同...

HCPL-5730 密封，低中频，宽Vcc，高增益光电耦合器

HCPL-5730是采用8引脚DIP陶瓷封装的商用级双通道密封光电耦合器。还提供镀金引线，焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息，请参见数据表。该产品能够在整个军用温度范围内运行和存储，也可以通过完整的MIL-PRF-38534 H级或K级测试或从DLA购买产品 SMD 5962-89785。的HCPL-5730被制造和测试上的MIL-PRF-38534认证线和H类和K版本都包括在DLA&NBSP;合格制造商列表QML-38534杂交微型每个通道包含GaAsP发光二极管，其光学耦合到集成的高增益光子检测器。高增益输出级采用开路集电极输出，与传统的达达顿光电耦合器相比，具有更低的饱和电压和更高的信号传输速度。 IC工艺提供的浅深度和小结可提供比传统光电晶体管光电耦合器更好的抗辐射性。电源电压可低至2.0 V，但不会对参数性能产生不利影响。这些器件在输入电流仅为0.5 mA时具有300％的最小CTR，非常适合用于低输入电流应用，如MOS，CMOS，低功耗逻辑接口或线路接收器。通过在18 V下指定Icch和Ioh，可确保与高压CMOS逻辑系统的兼容性。该模组在一个，两个或四个通道中的封装形式为8和16引脚DIP通孔，16-引脚表面贴装DIP扁平...

HCPL-6731 密封，低中频，宽Vcc，高增益光电耦合器

HCPL-6731是一款高可靠性H级双通道密封光电耦合器，采用20焊盘无铅陶瓷芯片载体。可提供焊锡浸渍焊盘，焊料含铅。该产品可在整个军用温度范围内操作和储存，也可以商品级购买，全套MIL-PRF- 38534级K级测试，或来自DLA SMD 5962-89785。 HCPL-6731在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试，并包含在DLA 合格制造商列表QML-38534中，用于混合微电路。每个通道包含一个GaAsP发光二极管，光学耦合到集成的高增益光子探测器。高增益输出级采用开路集电极输出，与传统的达达顿光电耦合器相比，具有更低的饱和电压和更高的信号传输速度。 IC工艺提供的浅深度和小结可提供比传统光电晶体管光电耦合器更好的抗辐射性。电源电压可低至2.0 V，但不会对参数性能产生不利影响。这些器件在输入电流仅为0.5 mA时具有300％的最小CTR，非常适合用于低输入电流应用，如MOS，CMOS，低功耗逻辑接口或线路接收器。通过在18 V下指定Icch和Ioh，可确保与高压CMOS逻辑系统的兼容性。该模组在一个，两个或四个通道中的封装形式为8和16引脚DIP通孔，16-引脚表面贴装DIP扁平封装，以及20焊盘无引脚陶瓷芯片载体。大...

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