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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SI4948EY-T1-E3-VB一款2个P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: SI4948EY-T1-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOP8封装
  • 沟道 P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

产品型号:SI4948EY-T1-E3-VB
品牌:VBsemi
丝印:VBA4658

参数:
- 通道类型:2个P沟道
- 额定电压:-60V
- 额定电流:-5.3A
- 开启电阻:RDS(ON)=58mΩ @VGS=10V,VGS=20V
- 阈值电压:Vth=-1V至-3V
- 封装:SOP8

详细参数说明:
SI4948EY-T1-E3-VB是一款具有2个P沟道的功率MOSFET,主要用于电路中的功率开关控制。其额定电压为-60V,额定电流为-5.3A,具有低导通电阻的特点。在10V和20V的门源电压下,其导通电阻为58mΩ。阈值电压范围为-1V至-3V,具有一定的电压调节范围。封装为SOP8,适合表面贴装工艺。

应用简介:
SI4948EY-T1-E3-VB适用于各种电源管理和功率控制应用,包括但不限于以下领域:
1. 电源逆变器:可用于直流-交流(DC-AC)逆变器中,实现直流电源向交流电源的转换,适用于太阳能逆变器、UPS等领域。
2. 电池保护:可应用于电池管理系统中的电池保护模块,实现对电池充放电过程的控制和保护。
3. 电源管理:可应用于通信设备、工业控制等电源管理电路中,提供稳定的电源输出。

举例说明:
在直流-交流逆变器模块中,SI4948EY-T1-E3-VB可用于实现直流电源向交流电源的转换,适用于太阳能逆变器、UPS等领域。同时,在电池管理系统中,SI4948EY-T1-E3-VB可用于电池保护模块,实现对电池充放电过程的控制和保护,提高电池的安全性和稳定性。

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