--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号:SI4948EY-T1-E3-VB
品牌:VBsemi
丝印:VBA4658
参数:
- 通道类型:2个P沟道
- 额定电压:-60V
- 额定电流:-5.3A
- 开启电阻:RDS(ON)=58mΩ @VGS=10V,VGS=20V
- 阈值电压:Vth=-1V至-3V
- 封装:SOP8
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B4/D7/wKgaomV5etqAFQssAAHEK_xlRlQ243.png)
详细参数说明:
SI4948EY-T1-E3-VB是一款具有2个P沟道的功率MOSFET,主要用于电路中的功率开关控制。其额定电压为-60V,额定电流为-5.3A,具有低导通电阻的特点。在10V和20V的门源电压下,其导通电阻为58mΩ。阈值电压范围为-1V至-3V,具有一定的电压调节范围。封装为SOP8,适合表面贴装工艺。
应用简介:
SI4948EY-T1-E3-VB适用于各种电源管理和功率控制应用,包括但不限于以下领域:
1. 电源逆变器:可用于直流-交流(DC-AC)逆变器中,实现直流电源向交流电源的转换,适用于太阳能逆变器、UPS等领域。
2. 电池保护:可应用于电池管理系统中的电池保护模块,实现对电池充放电过程的控制和保护。
3. 电源管理:可应用于通信设备、工业控制等电源管理电路中,提供稳定的电源输出。
举例说明:
在直流-交流逆变器模块中,SI4948EY-T1-E3-VB可用于实现直流电源向交流电源的转换,适用于太阳能逆变器、UPS等领域。同时,在电池管理系统中,SI4948EY-T1-E3-VB可用于电池保护模块,实现对电池充放电过程的控制和保护,提高电池的安全性和稳定性。
为你推荐
-
RQJ0549FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:56
产品型号:RQJ0549FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0548FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:55
产品型号:RQJ0548FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0547FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:53
产品型号:RQJ0547FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0546FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:52
产品型号:RQJ0546FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0545FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:51
产品型号:RQJ0545FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0544FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:49
产品型号:RQJ0544FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0543FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:48
产品型号:RQJ0543FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0542FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:46
产品型号:RQJ0542FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0541FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 13:45
产品型号:RQJ0541FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel -
RQJ0540FQDQS-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管2024-06-24 12:01
产品型号:RQJ0540FQDQS-VB 封装:TO252封装 沟道:N—Channel