TM3400N/FN-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道场效应晶体管，具有以下参数：
- 封装：SOT23
- 额定电压：30V
- 额定电流：6.5A
- 开启电阻：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：1.2~2.2V
**应用简介：**
TM3400N/FN-VB可广泛应用于电子领域，特别适用于需要N-Channel场效应晶体管的电路设计。常见应用领域包括电源管理、电流控制、开关电源、稳压器和其他需要高性能场效应晶体管的模块。
**主要特点：**
1. 高额定电压和电流，适用于要求较高性能的电路。
2. 低开启电阻，有助于减小导通时的功耗。
3. 宽阈值电压范围，增加了在不同应用中的灵活性。
**典型应用领域：**
1. 电源管理模块
2. 开关电源设计
3. 电流控制模块
4. 稳压器设计
**注意：** 在设计中，请根据具体应用场景和电路需求仔细选择适当的工作参数。
