--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 2个N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号: TPC8213-H-VB
丝印: VBA3638
品牌: VBsemi
封装: SOP8
详细参数说明:
- 沟道类型: N沟道
- 最大工作电压: 60V
- 最大连续漏极电流: 6A
- 静态漏极-源极电阻: 27mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 门-源阈值电压: 1.5V
应用简介:
TPC8213-H-VB是一款N沟道MOSFET功率器件,适用于要求高电压和大电流的功率电子应用。其低静态漏极-源极电阻和低门-源阈值电压使其在各种工作条件下均能提供可靠的性能。
应用示例:
1. 电源管理模块: 由于TPC8213-H-VB具有较高的工作电压和电流能力,可用于开关电源、稳压器和电源逆变器等电源管理模块中,实现对电源的高效控制和管理。
2. 驱动器模块: 在电机驱动器和LED驱动器等应用中,TPC8213-H-VB可作为电流控制开关,有效控制驱动器的输出功率和电流。
3. 电机控制模块: 作为电机控制器中的功率开关,TPC8213-H-VB可实现电机的启动、停止和速度控制,广泛应用于家用电器、工业自动化等领域。
总之,TPC8213-H-VB具有广泛的应用领域,适用于电源管理模块、驱动器模块和电机控制模块等多种功率电子应用中。
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