--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
UT2301ZG-AE3-R-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管(FET),以下是详细参数说明和应用简介:
- 封装:SOT23
- 极性:P—Channel(正沟道)
- 额定电压(Vds):-20V
- 额定电流(Id):-4A
- 开态电阻(RDS(ON)):57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压(Vth):-0.81V
**应用简介:**
该P—Channel FET适用于多种电源管理和开关电源应用。由于是P—Channel沟道,因此在一些特定的电路中,它可以用于负载开关和电源开关等应用。
**举例说明:**
1. **电源开关模块:** 适用于设计电源开关模块,控制电源的开关状态,实现有效的电源管理。
2. **电池保护模块:** 由于其P—Channel极性,适用于电池保护电路,以保护电池免受过电流或过压的损害。
3. **LED驱动器:** 具备适当的电流和电压额定值,可以用于LED驱动电路,控制LED的亮度和开关。
请注意,具体的应用取决于电路设计的要求,因此在选择和使用该晶体管时,需要仔细阅读其数据手册和参考电路。
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