--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 N+P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品型号: UTM4052G-S08-R-VB
丝印: VBA5638
品牌: VBsemi
参数:
- N+P-Channel沟道
- 工作电压范围: ±60V
- 最大电流: 6.5A (正向), -5A (反向)
- 导通电阻: 28mΩ (正向), 51mΩ (反向) (@VGS=10V, VGS=20V)
- 阈值电压: ±1.9V
封装: SOP8
中文详细参数说明:
UTM4052G-S08-R-VB是一款N+P-Channel沟道功率MOSFET,其工作电压范围为±60V。正向最大电流为6.5A,反向最大电流为-5A。在VGS为10V或20V时,其正向导通电阻为28mΩ,反向导通电阻为51mΩ。阈值电压为±1.9V。该产品采用SOP8封装。
应用简介:
这款产品适用于高压电源管理和功率控制应用。由于其N+P-Channel结构和高电压容忍度,它特别适合用于电源开关、双极性功率放大器和电机控制模块。此外,它还可用于电动工具、家用电器、工业自动化等领域,以提供可靠的功率开关和调节功能。
为你推荐
-
AP9T18J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:11
产品型号:AP9T18J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T18GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:10
产品型号:AP9T18GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T18GEH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:09
产品型号:AP9T18GEH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:08
产品型号:AP9T16J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T16H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:06
产品型号:AP9T16H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:05
产品型号:AP9T16GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16AGH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:04
产品型号:AP9T16AGH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:03
产品型号:AP9T15J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T15H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:01
产品型号:AP9T15H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15GJ-HF-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:00
产品型号:AP9T15GJ-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-N