WNM2306-3-TR-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品型号：** WNM2306-3-TR-VB

**丝印：** VB1240

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- 封装：SOT23
- 沟道类型：N-Channel
- 最大工作电压：20V
- 最大电流：6A
- 导通电阻：RDS(ON) = 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 阈值电压：Vth = 0.45~1V

**应用简介：**
WNM2306-3-TR-VB是VBsemi品牌的SOT23封装、N-Channel沟道类型的MOSFET。具有20V的最大工作电压和6A的最大电流，其低导通电阻和可调的阈值电压使其在多种电子应用中表现卓越。

**领域和模块应用：**
1. **电源管理模块：** 适用于电源开关、稳压器和电池管理系统，提供高效的能量转换和可靠的电流控制。
2. **电机驱动：** 在电机控制领域，可用于电机驱动模块，实现高效的电机运行。
3. **照明系统：** 可应用于LED驱动和电子调光模块，提供精确的照明控制。
4. **DC-DC转换器：** 适用于嵌入式DC-DC转换器，提高系统的能量转换效率。

WNM2306-3-TR-VB的特性使其成为各种领域电子设备中的关键组成部分，提升系统性能和效率。