企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

深圳市宏源世纪科技有限公司

主要销售触摸芯片，DC-DC电源，微控制器单片机，存储器，MOS场效应管，LED驱动产品。

851 内容数 5w 浏览量 5 粉丝

ON/安森美 NTMFS5C410NLT1G TDFN8 场效应管

场效应管
型号： NTMFS5C410NLT1G

--- 产品参数 ---

  • 型号 NTMFS5C410NLT1G
  • 数量 7220
  • 封装 TDFN8
  • 品牌 ON/安森美
  • 批次 最新批次

--- 数据手册 ---

C348540_场效应管(MOSFET)_NTMFS5C410NLT1G_规格书_ONSEMI(安森美)场效应管(MOSFET)规格书.PDF

--- 产品详情 ---

特点
NTB0104是一款具有自动方向感测功能的4位双电源平移收发器，
这使得能够进行双向电压电平转换。它具有两个4位输入输出端口
（An和Bn）、一个输出使能输入（OE）和两个电源引脚（VCC（A）和VCC（B））。VCC（A）
可以在1.2 V和3.6 V之间的任何电压下供电，并且VCC（B）可以在任何电压下提供
电压在1.65 V和5.5 V之间，使该设备适合在任何
低电压节点（1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V和5.0 V）。
引脚An和OE被参考为VCC（A），引脚Bn被参考为VCC（B）。一个低点
引脚OE处的电平导致输出呈现高阻抗OFF状态。此设备是
完全指定用于使用IOFF的部分断电应用。IOFF电路禁用
输出，防止损坏的回流电流通过设备
断电。

描述
 电源电压范围宽：
 VCC（A）：1.2 V至3.6 V，VCC（B）：1.65 V至5.5 V
 IOFF电路提供部分掉电模式操作
 输入可接受高达5.5 V的电压
 ESD保护：
 HBM JESD22-A114E 2级A端口超过2500 V
 HBM JESD22-A114E 3B级B端口超过15000 V
 MM JESD22-A115-A超过200 V
 CDM JESD22-C101E超过1500 V（对于NTB0104UK 1000 V）
 根据JESD 78B Class II，闩锁性能超过100 mA
 多个包选项
 指定自40C至+85C和40C至+125C

为你推荐

产品 资料