--- 产品参数 ---
- 封装 SOT89-3封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
以下是对型号J287-VB的产品详细说明:
### 产品简介
J287-VB是VBsemi生产的P沟道场效应管。它是一款低压、低功率的场效应管,适用于各种电源管理、开关和线性应用。
### 详细参数说明
- **器件类型**: P沟道场效应管
- **额定电压 (VDS)**: -30V
- **额定电流 (ID)**: -5.8A
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 50mΩ (在VGS=10V时);20V时也为50mΩ
- **阈值电压 (Vth)**: -0.6~-2V (通常为-0.6至-2V)
- **封装**: SOT89-3
### 适用领域和模块
1. **电源管理**: J287-VB可用于低压电源管理模块,如充电管理、低功耗开关电源和DC-DC转换器。由于其P沟道特性,它适用于正电源开关和反相器。
2. **电池保护**: 在便携式设备和电池供电系统中,J287-VB可用于电池保护模块。它可以作为电池充电和放电的控制开关,保护电池免受过载和过放的损害。
3. **信号开关**: 该器件也可用作低功率信号开关,用于音频、视频和数据信号的开关和调节。它可以在音频放大器、视频信号选择器和数字开关电路中实现信号的控制和调制。
4. **汽车电子**: 在汽车电子领域,J287-VB可用于车辆电源管理、车载电池保护和汽车灯光控制等模块中。其低压特性和可靠性使其适用于车辆电子系统中的各种低功率应用。
5. **医疗设备**: J287-VB可用于医疗设备中的低功率电源管理和信号控制模块。它可以用于医疗监测器、便携式医疗设备和医疗传感器中,实现电源管理和信号控制功能。
总的来说,J287-VB是一款适用于低压、低功率应用的P沟道场效应管,具有广泛的应用前景,在电源管理、电池保护、信号开关、汽车电子和医疗设备等领域有着重要的作用。
为你推荐
-
9R340C-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 13:45
产品型号:9R340C-VB TO220 封装:TO220 沟道:Single-N -
9R1K2C-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 13:42
产品型号:9R1K2C-VB TO252 封装:TO252### 一、9R1K2C-VB 产品简介 9R1 沟道:Single-N -
9R1K2C-VB TO247一款Single-N沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 13:39
产品型号:9R1K2C-VB TO247 封装:TO247 沟道:Single-N -
9R1K2C-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 13:37
产品型号:9R1K2C-VB TO220F 封装:TO220F 沟道:Single-N -
9R1K2C-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:58
产品型号:9R1K2C-VB TO220 封装:TO220 沟道:Single-N -
9R1K0C-VB TO247一款Single-N沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:53
产品型号:9R1K0C-VB TO247 封装:TO247 沟道:Single-N -
9R1K0C-VB TO220F一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:46
产品型号:9R1K0C-VB TO220F 封装:TO220F 沟道:Single-N -
9R1K0C-VB TO220一款9R1K0C-VB TO220沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:44
产品型号:9R1K0C-VB TO220 封装:TO220 沟道:9R1K0C-VB TO220 -
9R120C-VB一款Single-N沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:42
产品型号:9R120C-VB 封装:TO247 沟道:Single-N -
9NM60N-VB TO252一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-11-27 11:40
产品型号:9NM60N-VB TO252 封装:TO252 沟道:Single-N