--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-6封装
- 沟道 2个N+P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
以下是MTC3585G6-VB型号的产品简介和详细参数说明:
### 产品简介:
MTC3585G6-VB是VBsemi生产的双通道(2个N+P—Channel)沟道功率场效应晶体管,具有以下特点:
- 负载工作电压:±20V
- 最大漏极电流:7A (N-Channel), -4.5A (P-Channel)
- N-Channel静态漏极-源极电阻:20mΩ @ VGS=4.5V
- P-Channel静态漏极-源极电阻:70mΩ @ VGS=4.5V
- 门极阈值电压:0.71V (N-Channel), -0.81V (P-Channel)
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B4/9A/wKgZomVwCzaATI0hAAGDj507rR8748.png)
### 参数说明:
- **负载工作电压 (VDS)**: ±20V,指定了晶体管在负载工作时的最大电压范围。
- **最大漏极电流 (ID)**: 7A (N-Channel), -4.5A (P-Channel),表示晶体管能够承受的最大漏极电流。
- **N-Channel静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))**: 在门极电压为4.5V时,N-Channel静态漏极-源极电阻为20mΩ。这个参数表示了N-Channel晶体管导通时的导通电阻。
- **P-Channel静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))**: 在门极电压为4.5V时,P-Channel静态漏极-源极电阻为70mΩ。这个参数表示了P-Channel晶体管导通时的导通电阻。
- **门极阈值电压 (Vth)**: 0.71V (N-Channel), -0.81V (P-Channel),是晶体管开始导通的门极电压阈值。
### 应用领域和模块举例:
1. **电源开关模块**:MTC3585G6-VB的双通道设计使其适用于电源开关模块,可同时控制正负电压,提供稳定的电源开关和调节功能。
2. **电机驱动**:在电机驱动领域,MTC3585G6-VB可用于控制电机的正反转,实现高效的电机驱动和速度调节。
3. **DC-DC转换器**:由于MTC3585G6-VB具有较高的漏极电流和低的漏极-源极电阻,适用于DC-DC转换器中,实现高效率的电压转换和功率管理。
MTC3585G6-VB的特性使其在各种领域和模块中都能发挥重要作用,提供高效、稳定的功率控制和管理功能。
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