型号：QS6M4TR-VB
品牌：VBsemi
丝印：VB5222
参数说明：
- 沟道类型：2个N+P—Channel沟道
- 最大工作电压：±20V
- 最大电流：7A / -4.5A
- 开态电阻：20mΩ / 70mΩ @ VGS=4.5V
- 阈值电压：Vth=0.71V / -0.81V
- 封装类型：SOT23-6
产品简介：
QS6M4TR-VB是一款具有2个N+P—Channel沟道的场效应晶体管，由VBsemi生产。该器件具有±20V的最大工作电压和7A / -4.5A的最大电流容许值。采用SOT23-6封装，适用于各种电路设计，提供可靠的功率开关控制和高效的性能。
详细参数说明：
1. 沟道类型：2个N+P—Channel沟道
2. 最大工作电压：±20V
3. 最大电流：7A / -4.5A
4. 开态电阻：20mΩ / 70mΩ @ VGS=4.5V
5. 阈值电压：Vth=0.71V / -0.81V
6. 封装类型：SOT23-6
适用领域和模块示例：
1. 电源管理：QS6M4TR-VB适用于各种电源管理模块和电源开关电路，如笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理模块。其高电压容许值和低开态电阻使其成为电源管理领域的理想选择。
2. 电池保护：在便携式电子设备和电动车等领域，需要对电池进行保护，以防止过放电、过充电等情况。QS6M4TR-VB可用于充电保护电路和电池管理系统中，确保电池的安全性和稳定性。
3. 电机驱动：在各种电机驱动应用中，需要高性能的功率开关器件来实现电机的准确控制和高效运行。QS6M4TR-VB可用于电机驱动器、电机控制系统和其他电机驱动应用，提供可靠的性能和稳定的控制。
