--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AM30N06-65DA-VB 产品简介
AM30N06-65DA-VB 是由 VBsemi 公司生产的 N-Channel 沟道 MOSFET,具有高耐压和高电流特性,适用于各种功率控制和电源管理应用。
### AM30N06-65DA-VB 详细参数说明
- **丝印:** VBE1638
- **品牌:** VBsemi
- **参数:** N-Channel 沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS):** 60V
- **最大漏极电流 (ID):** 45A
- **导通时的漏极-源极电阻 (RDS(ON)):** 24mΩ @ VGS = 10V
- **栅极-源极电压 (VGS):** 20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.8V
- **封装:** TO252

### 产品应用示例
AM30N06-65DA-VB 适用于以下领域和模块:
1. **电源开关模块:** 在各种电源开关模块中,AM30N06-65DA-VB 可以用作功率 MOSFET,实现电源的开关和控制功能,例如直流电源、电动工具等。
2. **电机驱动器:** 在电机驱动器电路中,AM30N06-65DA-VB 可以用于控制电机的启停和转速调节,适用于家用电器、工业设备等领域。
3. **LED 灯光控制:** 在 LED 灯光控制系统中,AM30N06-65DA-VB 可以用作 LED 驱动电路中的功率开关,实现 LED 灯光的调光和调色功能。
4. **电池管理系统:** 在电池管理系统中,AM30N06-65DA-VB 可以用作电池充放电控制器,帮助实现电池的充电和放电管理,例如在便携式电子设备、电动车等领域。
综上所述,AM30N06-65DA-VB 具有广泛的应用领域,可为各种电子设备和系统提供稳定可靠的功率控制和电源管理功能。
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