--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-6封装
- 沟道 2个P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**产品简介:**
RQJ0455FQDQS-VB是VBsemi品牌的P沟道场效应晶体管,采用SOT23-6封装,为低功率电子系统提供可靠的功率开关和控制功能。其丝印标识为VB4290。每个晶体管具有-20V的漏极-源极电压承受能力和-4A的漏极电流额定值。
**详细参数说明:**
- 漏极-源极电压(VDS):-20V
- 漏极电流(ID):-4A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):75mΩ(在VGS=4.5V时)、20mΩ(在VGS=12V时)
- 门-源极阈值电压(Vth):-1.2V至-2.2V(范围)
**应用领域和模块示例:**
1. **便携式电子设备:** 由于其小尺寸和低功率特性,适用于便携式电子设备中的充电保护、电源管理和电池保护功能,如智能手机、平板电脑等。
2. **嵌入式系统:** 在嵌入式系统中,可用于DC-DC转换器、模拟电路保护和电源隔离等应用,为系统提供稳定的电源和保护功能。
3. **医疗电子设备:** 在医疗电子设备中,可用于小型电子仪器的电源管理和充电保护,确保设备的安全和可靠性。
4. **传感器接口电路:** 适用于传感器接口电路中的功率开关和控制,如温度传感器、湿度传感器等,为传感器系统提供稳定的工作环境。
总的来说,RQJ0455FQDQS-VB适用于便携式电子设备、嵌入式系统、医疗电子设备和传感器接口电路等多个领域和模块,为低功率电子系统提供可靠的功率开关和控制解决方案。
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