### 产品简介：
UT9435-AB165-R-VB是VBsemi品牌的P-Channel沟道MOSFET，丝印为VB4290。它具有SOT23-6封装，适用于各种低压应用场合。该器件能够在-20V的漏极-源极电压下承受最大-4A的漏极电流，且具有低的导通电阻。在VGS=4.5V时，导通电阻为75mΩ；在VGS=12V时，导通电阻依然维持在75mΩ。阈值电压Vth在-1.2V到-2.2V之间。
### 参数说明：
- **器件型号：** UT9435-AB165-R-VB
- **丝印：** VB4290
- **品牌：** VBsemi
- **沟道类型：** P-Channel
- **最大漏极-源极电压（VDS）：** -20V
- **最大漏极电流（ID）：** -4A
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 75mΩ @ VGS=4.5V; 75mΩ @ VGS=12V
- **阈值电压（Vth）：** -1.2V 到 -2.2V
- **封装：** SOT23-6
### 应用领域和模块示例：
1. **电源管理模块：** 由于其较低的导通电阻和可靠的性能，UT9435-AB165-R-VB适用于各种电源管理模块，如充电宝、电池管理系统等，可以实现高效的能量转换和管理。
2. **消费电子产品：** 该MOSFET可用于各种消费电子产品中，如智能手机、平板电脑等，用于电源开关和电路保护，确保设备的稳定性和可靠性。
3. **工业控制：** 在工业控制系统中，UT9435-AB165-R-VB可用于驱动和控制各种负载，如电机、电磁阀等，实现精确的控制和高效的能量转换。
4. **LED照明：** 作为LED照明系统的一部分，该MOSFET可用于控制LED的开关和亮度调节，提供稳定可靠的照明效果。
以上是UT9435-AB165-R-VB MOSFET的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块示例。
