### 产品简介
UT9435-AB185-R-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道 MOSFET，具有 200V 的漏极-源极电压承受能力，10A 的漏极电流承受能力。它的导通电阻 RDS(ON) 在 VGS=10V 和 VGS=20V 时分别为 245mΩ，门极-源极阈值电压 Vth 为 3.06V。该器件封装为 TO252。
### 详细参数说明
- 型号：UT9435-AB185-R-VB
- 丝印：VBE1203M
- 品牌：VBsemi
- 沟道类型：N 沟道
- 漏极-源极电压：200V
- 漏极电流：10A
- RDS(ON)：245mΩ @ VGS=10V
- RDS(ON)：245mΩ @ VGS=20V
- 门极-源极阈值电压：3.06V
- 封装：TO252
### 应用领域和模块举例
这款 MOSFET 适用于多种领域和模块，例如：
1. **电源管理**：UT9435-AB185-R-VB 的高漏极-源极电压和电流承受能力使其非常适合用于开关电源、逆变器和 DC-DC 变换器等应用中。
2. **电机驱动**：在电机控制和驱动领域，该器件可用于电机控制模块、电动工具和汽车电子系统中。
3. **照明控制**：UT9435-AB185-R-VB 的高性能使其成为 LED 驱动器和照明控制器等应用的理想选择。
4. **工业自动化**：适用于工业控制系统、电动机控制和电源开关等模块。
5. **电池管理**：可用于电池管理系统、充电器和逆变器等模块。
这些只是一些例子，UT9435-AB185-R-VB 的高性能和可靠性使其在各种应用中都有广泛的用途。
