**产品简介：**
VBsemi的070N06N-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用槽沟技术，适用于各种应用。该器件具有低导通电阻、高漏极电流和低门极电压等特点，适用于要求高效率和低功率损耗的电源、DC-DC转换器、电机控制等应用。
**详细参数说明：**
- **型号：** 070N06N-VB
- **封装：** TO263
- **配置：** 单N沟道
- **漏源电压（VDS）：** 60V
- **门源电压（VGS）：** 20V（±）
- **阈值电压（Vth）：** 3V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 4mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 150A
- **技术：** 槽沟技术
**应用示例：**
- **电源：** 该MOSFET可用于高效率的开关模式电源中，以稳定和调节电压。
- **电机控制：** 可用于电机控制电路，以调节和控制电机的转速。
- **DC-DC转换器：** 用于DC-DC转换器电路中，以实现不同电压级之间的高效转换。
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