企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 81 粉丝

10N60L-TF2-T-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 10N60L-TF2-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220F封装
  • 沟道 N-Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 10N60L-TF2-T-VB 产品简介

**型号**: 10N60L-TF2-T-VB  
**封装**: TO220F  
**配置**: 单N通道

#### 产品概述
10N60L-TF2-T-VB 是一款采用 TO220F 封装的单N通道功率 MOSFET,适用于高压应用。其特点包括650V的耐压、10A的连续漏极电流以及低导通电阻(830mΩ@VGS=10V),使其在高效率功率转换和管理系统中具有广泛的应用。

### 详细参数说明

- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单N通道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **门限电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 830mΩ@VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: 平面型

### 应用领域和模块举例

#### 应用领域
1. **电源管理系统**: 10N60L-TF2-T-VB 可用于各种电源管理系统,包括开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS),由于其高耐压和低导通电阻的特点,使其在高效能和可靠性方面表现出色。
2. **工业控制**: 在工业控制设备中,MOSFET 用于电机驱动和控制电路中,10N60L-TF2-T-VB 的高电流能力和低RDS(ON) 使其适合这种应用。
3. **太阳能逆变器**: 太阳能发电系统中,逆变器需要高效率和高可靠性的开关元件,10N60L-TF2-T-VB 由于其高电压和低导通电阻,非常适合此类应用。
4. **电动车充电器**: 用于电动车充电器和其他高压充电设备中,10N60L-TF2-T-VB 的高耐压和高电流能力确保了设备的安全性和可靠性。

#### 模块举例
1. **DC-DC 转换器**: 在 DC-DC 转换器模块中,10N60L-TF2-T-VB 的高效开关性能可以显著提高转换效率,减少能量损失。
2. **逆变模块**: 在逆变器模块中,10N60L-TF2-T-VB 可以作为主要的开关元件,提供高效的直流到交流转换。
3. **电机驱动模块**: 在电机驱动模块中,这款 MOSFET 可以用来控制电机的启停和转速调节,提供高效、稳定的驱动能力。

通过这些详细说明和举例,10N60L-TF2-T-VB 的应用和性能可以更好地被理解和应用于各种高要求的电力电子设备中。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    691浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    580浏览量