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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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10P6F6-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 10P6F6-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220F封装
  • 沟道 N-Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 10P6F6-VB 产品简介

10P6F6-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装。这款MOSFET具有60V的漏源极电压(VDS),能够在低电压环境中操作。其栅极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,具备良好的开关性能。10P6F6-VB 在VGS=10V时的导通电阻(RDS(ON))为27mΩ,能够提供45A的持续漏极电流(ID),适用于需要高效能和可靠性的电力电子应用中。该器件采用Trench技术,确保了其优异的性能和耐用性。

### 10P6F6-VB 参数说明

| 参数名称           | 数值         | 单位          |
| ------------------ | ------------ | ------------- |
| 封装类型           | TO220F       | -             |
| 配置               | 单N沟道      | -             |
| 漏源极电压 (VDS)   | 60           | V             |
| 栅极电压 (VGS)     | 20(±)      | V             |
| 阈值电压 (Vth)     | 1.7          | V             |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 27           | mΩ @ VGS=10V  |
| 漏极电流 (ID)      | 45           | A             |
| 技术               | Trench       | -             |

### 应用领域和模块举例

1. **电源管理**:
  10P6F6-VB 可用作低压电源管理中的开关元件,例如手机充电器、电池管理系统等。其低导通电阻和高漏极电流能力,使其能够提供高效能和可靠性的功率转换。

2. **电机驱动**:
  在电机驱动器中,如电动汽车驱动器、电动工具驱动器等,10P6F6-VB 可用于控制电机的开关。其高漏极电流处理能力和低导通电阻,能够确保电机系统提供高效能和可靠性的动力输出。

3. **照明系统**:
  这款MOSFET 适用于LED照明系统中的功率开关电路。其高效能和可靠性,使其能够在LED照明系统中提供稳定的功率输出,确保照明效果。

4. **电池保护**:
  10P6F6-VB 可用作电池保护系统中的开关元件。其高漏极电流和低导通电阻,能够确保在电池过充、过放等异常情况下对电池进行有效保护。

通过以上应用实例,10P6F6-VB 展示了其在多个领域的多功能性和高性能表现,是电力电子设计中不可或缺的元件之一。

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