### 11N50I-VB TO220F 产品简介
11N50I-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装技术。该器件具有 550V 的漏源电压 (VDS) 和 ±30V 的栅源电压 (VGS)，阈值电压 (Vth) 为 3V。在栅源电压为 10V 时，其导通电阻 (RDS(ON)) 为 260mΩ。这款 MOSFET 采用 Plannar 技术制造，具备较低的导通电阻和良好的耐压能力，适用于高压环境下的应用。
### 详细参数说明
| 参数 | 规格 |
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| 产品型号 | 11N50I-VB |
| 封装 | TO220F |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源电压 (VDS) | 550V |
| 栅源电压 (VGS) | ±30V |
| 阈值电压 (Vth) | 3V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 260mΩ @ VGS=10V |
| 连续漏极电流 (ID) | 18A |
| 技术 | Plannar |
### 应用领域和模块示例
11N50I-VB 这款高压 MOSFET 可广泛应用于各种领域和模块中，例如：
1. **电源逆变器**
- 在工业和电力电子领域，11N50I-VB 可用于电源逆变器中的开关电路，实现对电能的高效转换和控制。
2. **高压电源管理**
- 适用于高压电源管理系统中的开关电路和稳压电路，提供稳定可靠的电源输出。
3. **照明应用**
- 在高压 LED 照明系统中，11N50I-VB 可用作 LED 驱动器的开关元件，实现对 LED 灯的精确控制和调节。
4. **电动汽车充电桩**
- 在电动汽车充电桩中，11N50I-VB 可用作充电桩控制电路的关键元件，确保充电桩的安全和稳定性。
5. **工业自动化**
- 该器件可用于工业控制系统中的高压开关电路和负载开关，支持高频操作和大电流处理，提升设备的性能和可靠性。
通过以上示例，可以看出 11N50I-VB MOSFET 在高压环境下具备良好的性能和可靠性，适用于多种应用场合，是许多电子系统中的理想选择。
