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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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12N65M5-VB TO251一款N-Channel沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 12N65M5-VB TO251
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO251封装
  • 沟道 N-Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

12N65M5-VB TO251 是一款单通道 N 型 MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术。具有高耐压特性和适中的导通电阻,适用于中等功率应用中的功率控制和开关电路。

### 参数说明

- **封装:** TO251
- **VDS(漏极-源极电压):** 700V
- **VGS(栅极-源极电压):** ±30V
- **Vth(阈值电压):** 3.5V
- **导通电阻:**
 - @VGS=10V: 450mΩ
- **最大漏极电流(ID):** 11A

### 应用领域和模块举例

1. **电源模块:** 12N65M5-VB TO251 适用于中等功率控制的电源模块中的主开关,如家用电器的电源控制模块。
2. **工业控制系统:** 在工业控制系统中,12N65M5-VB TO251 可以用于控制电机、阀门等设备的启停和速度调节。
3. **充电桩:** 在电动汽车充电桩中,12N65M5-VB TO251 可以用作开关电源单元,实现快速、高效的充电。
4. **电动工具:** 在需要中等功率控制的电动工具中,12N65M5-VB TO251 可以用作开关电源单元,提供稳定的电流和功率控制。

以上示例说明了12N65M5-VB TO251 在中等功率应用中的广泛应用,特别适用于需要中等功率控制的场合。

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