--- 产品参数 ---
- 封装 TO3P封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**16N50H TO3P-VB 产品简介:**
16N50H TO3P-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,具有600V 的漏极-源极电压(VDS),30V(±V)的栅极-源极电压(VGS),和3.5V 的阈值电压(Vth)。它采用了 SJ_Multi-EPI 技术制造,具有高性能和可靠性,适用于各种应用场合。
**16N50H TO3P-VB 详细参数说明:**
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 栅极-源极电压(VGS):30V(±V)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 导通电阻(RDS(ON)):280mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流(ID):15A
- 技术:SJ_Multi-EPI
**适用领域和模块示例:**
1. **电源模块**:16N50H TO3P-VB 可以用作高压电源开关,适用于需要较高漏极-源极电压和漏极电流的应用,如电源适配器、UPS 系统等。
2. **电机驱动**:由于其较高的漏极电流和低导通电阻,适合用于驱动大功率电机,如工业电机、电动汽车驱动电机等。
3. **逆变器模块**:在需要高效率和高功率密度的应用中,如太阳能逆变器、工业控制逆变器等领域,16N50H TO3P-VB 可以作为功率开关器件的一部分。
4. **电源管理模块**:在需要稳定可靠的电源管理系统中,16N50H TO3P-VB 可以用于电源开关和保护模块。
这些示例仅代表了一部分应用领域,实际上,16N50H TO3P-VB 在许多其他领域和模块中都有广泛的应用。
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