VBsemi 19NF20-VB TO263 MOSFET产品简介：
19NF20-VB TO263是一款单N沟道场效应管，具有200V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS）（±V），3V的阈值电压（Vth），48mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及40A的漏极电流（ID）。采用了沟道技术（Trench Technology）。
详细参数说明：
- 封装：TO263
- 类型：单N沟道（Single-N-Channel）
- VDS（漏极-源极电压）：200V
- VGS（栅极-源极电压）：20V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3V
- 导通电阻（RDS(ON)）：48mΩ@VGS=10V
- 漏极电流（ID）：40A
- 技术：沟道技术（Trench）
适用领域和模块示例：
1. 电源模块：19NF20-VB TO263适用于中功率电源模块，如开关电源和逆变器设计。
2. 电动工具：可用于电动工具驱动器设计，如电动钻机和电动割草机。
3. 汽车电子：适用于汽车电子模块，如车载电源管理器和车载娱乐系统。
4. 工业控制：在工业自动化和机器人领域，该器件可用于中功率开关电路和电机控制器设计。
5. 太阳能逆变器：用于太阳能逆变器模块，实现太阳能电池板的能量转换和管理。
这些是19NF20-VB TO263 MOSFET在各个领域和模块上的一些示例应用。
