--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
2170LG-VB 是 VBsemi 生产的一款单N沟道MOSFET,封装为TO252,适用于低压、中功率的电源开关和电机驱动等应用。采用沟槽技术(Trench),具有低导通电阻和高电流能力。
### 二、详细参数说明
- **型号**:2170LG-VB
- **封装**:TO252
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:60V
- **栅源极电压 (VGS)**:20(±V)
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS=4.5V
- 73mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:18A
- **技术**:沟槽技术(Trench)

### 三、应用领域和模块示例
1. **电源开关**:2170LG-VB 适用于低压电源开关,如直流稳压器和逆变器。其低导通电阻和低漏源极电压使其在低压环境中具有良好的性能。
2. **电动工具**:在需要中等功率和高效能的电动工具中,2170LG-VB 可以作为电机驱动器的关键部件,提供高效能的功率开关和电流控制。
3. **LED照明**:在LED照明控制系统中,该MOSFET可以用于电流调节和保护,确保LED灯具的稳定亮度和长寿命。
4. **电池管理系统**:在需要对锂电池进行充放电控制的系统中,2170LG-VB 可以作为开关元件使用,保护电池不受过充、过放电的影响。
5. **消费电子产品**:在便携式设备如智能手机和平板电脑中,该MOSFET可以用于电源管理IC,提供高效的电源分配和保护。
通过以上应用示例,可以看出2170LG-VB 在低压、中功率应用中有着广泛的应用前景,具有稳定可靠的性能和高效的电能转换能力。
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