--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-3封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2329S-VB 产品简介
**2329S-VB** 是一款单极性 P-Channel MOSFET,采用 SOT23-3 封装,具有较高的漏极-源极电压和适中的漏源极电阻。它采用了沟槽(Trench)技术,适用于各种需要高效开关和低损耗的场景。
### 详细参数说明
| **参数** | **数值** |
|---------------------|-----------------------------|
| **封装** | SOT23-3 |
| **配置** | 单-P-Channel |
| **漏源极电压 (VDS)** | -100V |
| **栅源极电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | -2V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 560mΩ @ VGS=4.5V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 500mΩ @ VGS=10V |
| **连续漏极电流 (ID)** | -1.5A |
| **技术** | 沟槽(Trench) |

### 适用领域和模块
1. **电源逆变器**:2329S-VB 可以用于各种电源逆变器和开关电源中,提供高效的功率转换和稳定的电流传输。
2. **消费电子**:在消费电子产品中,如手机充电管理、电池保护电路等方面,该 MOSFET 可以提供高效的电流传输和稳定的性能。
3. **汽车电子**:由于其较高的漏极-源极电压和适中的漏源极电阻,2329S-VB 适用于汽车电子领域,如汽车照明控制、电动窗和座椅调节等应用场景。
4. **LED 照明**:2329S-VB 可以用于 LED 照明的电源驱动电路,提供稳定的电流输出和高效的能源利用率。
5. **便携式设备**:在便携式设备中,如平板电脑、笔记本电脑和便携式音响中,该 MOSFET 可以用于电源管理和电池保护电路,提供高效的电流传输和稳定的性能。
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