### 25N10F7-VB 产品简介
25N10F7-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET，采用了 TO220F 封装。它适用于要求较高电压和电流的应用，具有优异的导通电阻和漏极电流能力。采用了沟槽技术，具有良好的性能和可靠性，适用于各种电源管理和开关应用。
### 25N10F7-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **门限电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 34mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 50A
- **技术类型**: Trench
### 应用领域和模块举例
**电机驱动**:
25N10F7-VB 可用于各种电机驱动器中的开关和功率控制。其高额定电压和电流能够满足高功率电机的需求。
**电源管理**:
在电源管理系统中，该产品可用于高效率的开关电源。其低导通电阻和高漏极电流能力确保了电源管理系统的高效率和可靠性。
**工业自动化**:
在工业自动化领域，该产品可用于各种工业设备的电源管理和开关。其高性能和可靠性使其成为工业自动化领域的理想选择。
**电动汽车充电桩**:
在电动汽车充电桩中，该产品可用于高压开关和电源管理。其高额定电压和电流确保了电动汽车充电桩的高效率和可靠性。
25N10F7-VB 通过在多种高压高性能应用中的广泛应用，展示了其作为高性能 MOSFET 的优越性能，为工程师提供了一种可靠的解决方案。
