--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-6封装
- 沟道 P+P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、2623GY-VB产品简介
2623GY-VB是VBsemi公司推出的一款双P+P沟道MOSFET,采用Trench技术,适用于低电压和低功率的应用。该器件具有低导通电阻和高可靠性,适用于各种功率控制和开关电路。
### 二、2623GY-VB详细参数说明
- **型号:** 2623GY-VB
- **封装类型:** SOT23-6
- **配置:** 双P+P沟道
- **漏极-源极电压 (VDS):** -20V
- **栅极-源极电压 (VGS):** ±12V
- **栅极阈值电压 (Vth):** -0.6V
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 100mΩ @ VGS = 2.5V, 75mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID):** -4A
- **技术:** Trench
### 三、2623GY-VB的应用领域和模块示例
2623GY-VB MOSFET适用于以下领域和模块:
1. **便携式设备:** 在便携式设备中,2623GY-VB可用于电池管理和电源控制模块,提供高效的能量转换和稳定的电源输出。
2. **电源管理:** 在低电压电源管理系统中,2623GY-VB可用于开关电源和稳压器,提供稳定的电力输出和电压调节。
3. **医疗设备:** 在医疗设备中,2623GY-VB可用于电源控制和开关模块,提供稳定的功率输出和可靠的性能。
4. **传感器接口:** 在传感器接口电路中,2623GY-VB可用于信号放大和开关控制,提供稳定的信号传输和控制功能。
5. **汽车电子:** 在汽车电子系统中,2623GY-VB可用于车载电源管理和控制模块,提供高效的能量转换和稳定的功率输出。
通过以上示例,可以看出2623GY-VB在低电压和低功率处理能力要求的各种应用中发挥着重要作用,为这些应用提供了可靠的电力控制和开关功能。
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