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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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270N4F3-VB TO262一款N-Channel沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 270N4F3-VB TO262
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO262封装
  • 沟道 N-Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

VBsemi的270N4F3-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用先进的Trench技术,封装在TO262中。这款MOSFET设计用于高效率的开关应用,具有低导通电阻和高电流处理能力,非常适合在电源管理、汽车电子和工业控制等领域的应用。

### 详细的参数说明

- **型号**: 270N4F3-VB
- **封装**: TO262
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
 - 1.7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 150A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块

1. **电源管理**
  - **应用场景**: 用作高频开关元件,用于DC-DC转换器和AC-DC转换器,提高转换效率,降低功耗。
  - **模块**: 服务器电源、工业电源、通信设备电源。

2. **汽车电子**
  - **应用场景**: 用于车载电子系统中,如电动汽车的驱动电路,电池管理系统,车载充电器等,以确保高效率和高可靠性。
  - **模块**: 电动汽车控制单元、电池管理系统、车载充电模块。

3. **工业控制**
  - **应用场景**: 在工业自动化设备中作为驱动元件,用于电机控制、PLC系统中,提高系统的控制精度和响应速度。
  - **模块**: 电机驱动器、可编程逻辑控制器、工业电源模块。

270N4F3-VB具有高导通电流和低导通电阻的特性,适用于需要高效率和高性能的应用场景,能够显著提高系统的性能和可靠性。

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