--- 产品参数 ---
- 封装 TO220封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
270N8F7-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装,由VBsemi提供。该器件具有高漏极电压和低导通电阻,适用于各种高功率应用。采用了先进的Trench技术,提供了优异的电气性能和可靠性。
### 详细参数说明
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:80V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3.6mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:195A
- **技术**:Trench
### 应用领域和模块
270N8F7-VB MOSFET 在多个领域和模块中具有广泛的应用,以下是一些典型的应用示例:
1. **电动汽车**:
由于其高漏极电压和大电流能力,该MOSFET 可以用于电动汽车的电动机驱动器中,提供高效的电流控制和传输。
2. **工业自动化**:
在工业自动化领域中,270N8F7-VB 可以用作各种电机控制和功率逆变器中的开关元件,确保设备高效稳定地运行。
3. **电源系统**:
该器件适用于高功率开关电源(SMPS)和UPS系统中,可提高系统效率并降低能量损耗。
4. **风力发电**:
在风力发电机组中,270N8F7-VB 可以用作功率开关器件,帮助调节发电机的输出功率并确保系统安全稳定运行。
5. **工业照明**:
该MOSFET 可以用于工业照明系统中的LED驱动器,提供高效的电流控制和稳定的亮度输出。
以上应用示例展示了270N8F7-VB 的多功能性和高性能,使其成为各种高功率电子系统中的理想选择。
为你推荐
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:26
产品型号:BUK661R9-40C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:23
产品型号:BUK661R8-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:20
产品型号:BUK661R6-30C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:16
产品型号:BUK6610-75C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:14
产品型号:BUK6607-55C-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:12
产品型号:BUK657-600B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:09
产品型号:BUK657-500B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:07
产品型号:BUK657-500A-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:06
产品型号:BUK657-450B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2025-01-15 17:03
产品型号:BUK657-400B-VB 封装:TO220 沟道:Single-N