### 产品简介
28N50H-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO3P封装，由VBsemi提供。该器件具有高漏极电压和适中的导通电阻，适用于各种高压高功率应用。采用了SJ_Multi-EPI技术，提供了优异的电气性能和可靠性。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO3P
- **配置**：单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：600V
- **栅源极电压 (VGS)**：±30V
- **栅阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：190mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：20A
- **技术**：SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块
28N50H-VB MOSFET 在多个领域和模块中具有广泛的应用，以下是一些典型的应用示例：
1. **工业电源**：
由于其高漏极电压和适中的导通电阻，该器件适用于工业电源系统中的开关电源、逆变器等部件，提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. **电力传输**：
在电力传输和分配系统中，28N50H-VB 可以用作高压开关器件，帮助控制电力流动并确保系统安全稳定运行。
3. **医疗设备**：
该MOSFET 可以用于医疗设备中的高压电源和电机驱动器，提供可靠的电力传输和控制功能。
4. **电动汽车充电桩**：
在电动汽车充电桩中，28N50H-VB 可以用作功率开关器件，帮助实现高效的电池充电和放电过程。
5. **太阳能逆变器**：
该器件适用于太阳能逆变器中的功率开关电路，将太阳能转换为电能并提供给电网使用。
以上应用示例展示了28N50H-VB 的多功能性和适用性，使其成为各种高压高功率电子系统中的理想选择。
