### 产品简介
VBsemi 的 2N60ZLL-TM3-T-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO251 封装。这款 MOSFET 具有高漏源电压承受能力和低导通电阻，适用于中压应用。
### 详细参数说明
- **型号**: 2N60ZLL-TM3-T-VB
- **封装**: TO251
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 4300mΩ @ VGS = 10V
- **漏电流 (ID)**: 2A
- **技术**: 平面技术 (Plannar)
### 应用领域和模块示例
1. **电源开关**: 2N60ZLL-TM3-T-VB 可用于中压电源开关，例如电源适配器和电源管理模块。其中压特性和稳定性使其适用于各种电源应用。
2. **照明控制**: 在照明控制系统中，这款 MOSFET 可用于控制 LED 灯的亮度和开关。其稳定的性能和高电压承受能力使其成为照明控制系统的理想选择。
3. **工业控制**: 在工业自动化领域，2N60ZLL-TM3-T-VB 可用于控制器、继电器和其他自动化设备中，提供稳定的开关性能和高效的功率传输，确保设备的可靠性和长寿命。
4. **电动工具**: 在电动工具中，这款 MOSFET 可用于控制电机的开关和速度调节。其高电压承受能力和稳定性使其成为电动工具的关键组件。
5. **医疗设备**: 在医疗设备中，2N60ZLL-TM3-T-VB 可用于电源管理和电气控制。其高电压承受能力和可靠性使其成为医疗设备的理想选择。
