--- 产品参数 ---
- 封装 TO220封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**型号:2SJ172-VB**
2SJ172-VB 是一款单P沟道MOSFET,采用TO220封装,具备高性能和可靠性。其采用槽沟道(Trench)技术,结合了高导通电流和低导通电阻的特点,适用于高功率应用。
### 产品详细参数
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 74mΩ @ VGS = 4.5V
- 62mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -40A
- **技术类型**: 槽沟道(Trench)

### 应用领域及模块
2SJ172-VB MOSFET 在多个领域和模块中具有广泛的应用。以下是一些示例:
1. **电源管理模块**: 由于其高导通电流和低导通电阻特性,该MOSFET非常适合用于开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统中。它能够有效地处理高功率,提供高效的电能转换和分配。
2. **电机控制系统**: 在需要高功率电机驱动和控制的应用中,2SJ172-VB MOSFET的高导通电流和低导通损耗可以提高系统的效率和性能。这在电动汽车、工业机械和航空航天设备中尤为重要。
3. **汽车电子**: 在汽车电子系统中,MOSFET需要能够承受汽车电气系统的高压和高温环境。2SJ172-VB 的特性使其适用于汽车的点火系统、电池管理、动力转换和驱动控制等应用。
4. **工业控制和自动化**: 在工业控制和自动化领域,2SJ172-VB 可以用于各种高功率电路,如变频器、机器人控制系统和工厂自动化设备中,以提高系统的性能和稳定性。
通过结合高导通电流、低导通电阻和槽沟道技术,2SJ172-VB MOSFET 是各种高功率应用的理想选择。其可靠性和性能使其在多个领域和模块中得到广泛应用。
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