--- 产品参数 ---
- 封装 SOT89封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**2SJ193-VB MOSFET** 是VBsemi 公司生产的一款高性能P-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用了先进的沟道技术,具有低导通电阻和适中的额定电流能力,适用于各种低功率应用场景。
### 二、详细参数说明
- **封装形式**:SOT89
- **配置**:单P-沟道
- **漏源电压(VDS)**:-100V
- **栅源电压(VGS)**:20V(±)
- **栅极阈值电压(Vth)**:-2V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 230mΩ @ VGS = 4.5V
- 200mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**:-3A
- **技术类型**:沟槽技术
### 三、应用领域和模块举例
**应用领域:**
1. **低功率电源管理**:
- 由于其低导通电阻和中等额定电流能力,2SJ193-VB MOSFET 可以用于低功率电源管理系统中,如充电器、适配器等。
2. **信号开关**:
- 在需要对信号进行快速开关的场合,如通信设备、仪器仪表等,该MOSFET 可以提供良好的性能。
3. **功率适配器**:
- 适用于各种功率适配器和开关模式电源,有助于提高转换效率。
**模块应用举例:**
1. **LED驱动器**:
- 在LED驱动器中,2SJ193-VB MOSFET 可以用于控制LED的亮度和开关。
2. **电池管理系统**:
- 在需要对电池进行管理和保护的系统中,该器件可用于开关电路和保护电路。
3. **汽车电子**:
- 适用于汽车电子系统中的一些低功率应用,如车载充电器、车内照明等。
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