--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SJ246STR-VB MOSFET 产品简介
#### 产品概述
2SJ246STR-VB 是一款适用于低功率应用的 P-Channel MOSFET。采用 TO252 封装,该 MOSFET 利用槽沟技术设计,性能高效稳定。适用于需要低功率开关和放大功能的各种应用。
#### 详细规格
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 P-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**: -30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 46 mΩ @ VGS = 4.5V
- 33 mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: -38A
- **技术**: 槽沟
### 应用示例
#### 电源管理模块
2SJ246STR-VB MOSFET 可用于电源管理应用,如 DC-DC 变换器和电源单元。其高电压和低 RDS(ON) 值确保高效的功率转换和最小的热量生成,适用于消费类电子产品和工业电源。
#### 电机控制系统
在电机控制系统中,该 MOSFET 可用于需要处理高电压和电流的开关应用。在汽车和工业自动化应用中,可提供对电机功能的精确控制。
#### LED 照明系统
2SJ246STR-VB 也适用于 LED 照明系统。其处理高电压的能力和可靠的性能使其成为将太阳能电池板的直流转换为交流以供电网或脱网应用使用的理想选择。
#### 音频放大器
对于音频放大,2SJ246STR-VB 的低 RDS(ON) 和稳定的热性能确保高保真音频输出和最小失真。这使其成为高端音响系统和专业音频设备的理想组件。
### 总结
2SJ246STR-VB P-Channel MOSFET 具有高电压容量、低导通电阻和强大的槽沟技术,适用于从电源管理和电机控制到 LED 照明系统和音频放大的广泛应用。
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