--- 产品参数 ---
- 封装 TO263封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SJ258-VB MOSFET 产品概述
2SJ258-VB 是一款高性能单 P-Channel MOSFET,设计用于满足现代电子应用的需求。采用 TO263 封装,该 MOSFET 在最大漏极-源极电压(V_DS)为 -60V 和栅极-源极电压(V_GS)为 ±20V 的情况下,提供稳健可靠的操作。利用先进的沟道技术,确保高效导通和最小功率损耗,适用于各种高电流和高电压应用。
### 2SJ258-VB 详细规格
- **封装**:TO263
- **配置**:单 P-Channel
- **漏极-源极电压(V_DS)**:-60V
- **栅极-源极电压(V_GS)**:±20V
- **阈值电压(V_th)**:-1.7V
- **漏极-源极导通电阻(R_DS(ON))**:
- 60mΩ @ V_GS = 4.5V
- 48mΩ @ V_GS = 10V
- **漏极电流(I_D)**:-35A
- **技术**:沟道
### 应用示例
2SJ258-VB MOSFET 非常适用于各种领域和模块,具有高效率和可靠性。以下是一些示例:
1. **电源管理**: 由于其能够处理高电压和电流,可用于电源管理中的开关电源和稳压器,确保高效率和稳定性。
2. **电动工具**: 在电动工具中,2SJ258-VB 可用于高效驱动电机,提供强大的性能和可靠性。
3. **LED 驱动**: 由于其高电流容量和低导通电阻,可用于 LED 灯具的高效驱动,确保稳定的亮度和长寿命。
4. **汽车电子**: 2SJ258-VB 可用于汽车电子中,如车身控制模块(BCM)和电动汽车(EV)的电池管理系统(BMS),确保高效和可靠的运行。
5. **工业自动化**: 在工业自动化中,可用于各种控制系统和驱动器,提供高效的控制和性能。
这些示例展示了 2SJ258-VB MOSFET 在各种高要求和高效能应用中的多功能性和实用性。
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